[实用新型]一种TO220封装MOSFET多管并联模块有效

专利信息
申请号: 201420075970.3 申请日: 2014-02-21
公开(公告)号: CN203721719U 公开(公告)日: 2014-07-16
发明(设计)人: 解晓锋 申请(专利权)人: 西安新大良电子科技有限公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/367
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 710077 陕西省西安市高新区*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 to220 封装 mosfet 并联 模块
【权利要求书】:

1.一种TO220封装MOSFET多管并联模块,其特征在于,包括:

一散热基板,

至少两组支架固定连接在所述散热基板上,每个支架的结构一致,包括一支架本体,所述支架本体一侧设置有注塑口,

还包括一位于中部的中空区域的MOSFET多管芯片固定区域,一位于MOSFET多管芯片固定区域四周的若干个凹槽,所述凹槽处设置有喷胶口,所述喷胶口与注塑口内部相互连通,形成贯通腔体。

2.根据权利要求1所述的一种TO220封装MOSFET多管并联模块,其特征在于:所述散热基板上下端设置有并列排布的连接板,散热基板通过所述连接板固定一金属框架。

3.根据权利要求1所述的一种TO220封装MOSFET多管并联模块,其特征在于:所述散热基板的四个顶点处设置有固定安装孔。

4.根据权利要求1所述的一种TO220封装MOSFET多管并联模块,其特征在于:所述散热基板呈方形金属块或圆形金属块。

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