[实用新型]一种TO220封装MOSFET多管并联模块有效
申请号: | 201420075970.3 | 申请日: | 2014-02-21 |
公开(公告)号: | CN203721719U | 公开(公告)日: | 2014-07-16 |
发明(设计)人: | 解晓锋 | 申请(专利权)人: | 西安新大良电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L23/367 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 710077 陕西省西安市高新区*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 to220 封装 mosfet 并联 模块 | ||
1.一种TO220封装MOSFET多管并联模块,其特征在于,包括:
一散热基板,
至少两组支架固定连接在所述散热基板上,每个支架的结构一致,包括一支架本体,所述支架本体一侧设置有注塑口,
还包括一位于中部的中空区域的MOSFET多管芯片固定区域,一位于MOSFET多管芯片固定区域四周的若干个凹槽,所述凹槽处设置有喷胶口,所述喷胶口与注塑口内部相互连通,形成贯通腔体。
2.根据权利要求1所述的一种TO220封装MOSFET多管并联模块,其特征在于:所述散热基板上下端设置有并列排布的连接板,散热基板通过所述连接板固定一金属框架。
3.根据权利要求1所述的一种TO220封装MOSFET多管并联模块,其特征在于:所述散热基板的四个顶点处设置有固定安装孔。
4.根据权利要求1所述的一种TO220封装MOSFET多管并联模块,其特征在于:所述散热基板呈方形金属块或圆形金属块。
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