[实用新型]一种内嵌式触摸屏及显示装置有效
申请号: | 201420079034.X | 申请日: | 2014-02-24 |
公开(公告)号: | CN203894713U | 公开(公告)日: | 2014-10-22 |
发明(设计)人: | 刘英明;董学;王海生;丁小梁;杨盛际;赵卫杰 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 内嵌式 触摸屏 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及触控技术领域,尤其涉及一种内嵌式触摸屏及显示装置。
背景技术
随着显示技术的飞速发展,触摸屏(Touch Screen Panel)已经逐渐遍及人们的生活中。目前,触摸屏按照组成结构可以分为:外挂式触摸屏(Add on Mode Touch Panel)、覆盖表面式触摸屏(On Cell Touch Panel)、以及内嵌式触摸屏(In Cell Touch Panel)。其中,外挂式触摸屏是将触摸屏与液晶显示屏(Liquid Crystal Display,LCD)分开生产,然后贴合到一起成为具有触摸功能的液晶显示屏,外挂式触摸屏存在制作成本较高、光透过率较低、模组较厚等缺点。而内嵌式触摸屏将触摸屏的触控电极内嵌在液晶显示屏内部,可以减薄模组整体的厚度,又可以大大降低触摸屏的制作成本,受到各大面板厂家青睐。
目前,能够实现宽视角的液晶显示技术主要有平面内开关(IPS,In-Plane Switch)技术和高级超维场开关(ADS,Advanced Super Dimension Switch)技术;其中,ADS技术通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场,使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转,从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质,具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹(push Mura)等优点。H-ADS(高开口率-高级超维场开关)是ADS技术的一种重要实现方式。
目前基于ADS技术和H-ADS技术提出的内嵌式触摸屏结构是将阵列基板中整面连接的公共电极层进行分割,形成相互绝缘且交叉而置的触控驱动电极和公共电极,并在对向基板上设置与公共电极所在区域对应的触控感应电极;对触控驱动电极进行分时驱动,以实现触控功能和显示功能。由于这种内嵌式触摸屏结构是将触控感应电极在阵列基板上的投影设置在公共电极所在的区域内,而公共电极和触控驱动电极位于同层且相互绝缘,这样,避免了触控感应电极与触控驱动电极之间产生正对面积,减少了由该正对面积形成的互电容,从而增加由手指触控导致的互电容变化量的比例,提升了触控准确性。
上述内嵌式触摸屏结构中,公共电极层分割后的示意图如图1所示,各公共电极01为条状电极;每个触控驱动电极02由多个同列设置的触控驱动子电极021、022、023、024组成,且各触控驱动子电极021、022、023、024位于相邻的公共电极01之间,属于同一触控驱动电极02且位于公共电极01两侧的触控驱动子电极021、022、023、024通过触控驱动信号线03电性相连。在实现显示功能时,需要向公共电极01和触控驱动电极02同时加载公共电极信号,但是由于每条触控驱动电极02是由独立的多个触控驱动子电极021、022、023、024组成的,而公共电极01是条状电极,两者的信号传输负载(loading)不一致,这会导致公共信号在公共电极01和触控驱动电极02的传输速度不一致,造成显示画面不均匀,影响画面品质。
实用新型内容
有鉴于此,本实用新型实施例提供了一种内嵌式触摸屏及显示装置,用以解决现有的内嵌式触摸屏中触控驱动电极和公共电极负载不一致导致的显示不均匀的问题。
因此,本实用新型实施例提供的一种内嵌式触摸屏,包括:具有公共电极层的阵列基板,以及与所述阵列基板相对而置的对向基板;
所述阵列基板的公共电极层由相互绝缘的多条触控驱动电极和多条公共电极组成,所述触控驱动电极与所述公共电极交叉设置;所述触控驱动电极包括沿着所述触控驱动电极的延伸方向设置的多个触控驱动子电极,各所述触控驱动子电极位于相邻的所述公共电极之间;所述公共电极包括沿着所述公共电极的延伸方向设置的多个公共子电极;在一帧画面的显示时间内,各所述触控驱动电极用于分时地加载公共电极信号和触控扫描信号,对各所述公共电极加载公共电极信号;
所述对向基板具有多条触控感应电极,各所述触控感应电极在所述阵列基板上的正投影位于所述公共电极所在区域内。
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