[实用新型]一种氮化镓基发光二极管有效
| 申请号： | 201420081947.5 | 申请日： | 2014-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN203746891U | 公开（公告）日： | 2014-07-30 |
| 发明（设计）人： | 董发;李志翔;吴东海;詹润滋 | 申请（专利权）人： | 南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 发光二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种氮化镓基发光二极管，它包括衬底（1）以及置于衬底（1）上方依次由N型GaN层（2）、发光层（3）、P型GaN层（4）和透明导电层（5）组成的发光结构，在透明导电层（5）上置有P型电极（6），其特征在于：所述衬底（1）底部开设孔直至N型GaN层（2），在所述孔内设有N型电极（7）置于N型GaN层（2）下底面。
2.根据权利要求1所述的氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述孔的直径为60-150um，孔的高度为80-200um。
3.根据权利要求1或2所述的氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述孔开设于衬底（1）底部中心位置。
4.根据权利要求3所述的氮化镓基发光二极管，其特征在于：所述N型电极（7）充满孔，N型电极（7）的下底面与衬底（1）底部齐平。
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