[实用新型]一种用于提高磁控溅射镀膜靶材利用率的靶材有效
| 申请号： | 201420082877.5 | 申请日： | 2014-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN203947153U | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | 周航锋;贺伟;侍进山;徐博文;李景;李信;陈武;万禄兵 | 申请（专利权）人： | 湖南中好科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 湖南省娄底市兴娄专利事务所 43106 | 代理人： | 朱成实 |
| 地址： | 410604 湖南省长沙市*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 提高 磁控溅射 镀膜 利用率 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于提高磁控溅射镀膜靶材利用率的靶材，其特征在于：靶材（1）主体采用多段组合式结构，组合后的主体顶部设有下凹的溅射槽（2），溅射槽（2）的溅射面中部沿主体长度方向凸起，使溅射面横截面呈W状，主体下端设有凹或凸的定位槽（3）；所述的靶材（1）为三段，位于两端的靶材（1）上的溅射槽（2）端部采用弧形结构收尾。
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