[实用新型]一种用于提高磁控溅射膜均匀性的工艺气管

说明书

技术领域

本实用新型涉及手机膜生产领域，尤其是指一种用于提高磁控溅射膜均匀性的工艺气管。 

背景技术

    磁控溅射的工作原理是指电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。在溅射粒子中，中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜，而产生的二次电子会受到电场和磁场作用，产生E电场×B磁场所指的方向漂移，简称E×B漂移，其运动轨迹近似于一条摆线。若为环形磁场，则电子就以近似摆线形式在靶表面做圆周运动，它们的运动路径不仅很长，而且被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，并且在该区域中电离出大量的Ar 来轰击靶材，从而实现了高的沉积速率。随着碰撞次数的增加，二次电子的能量消耗殆尽，逐渐远离靶表面，并在电场E的作用下最终沉积在基片上。由于该电子的能量很低，传递给基片的能量很小，致使基片温升较低。为了在低气压下进行高速溅射，必须有效地提高气体的离化率。通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率的方法。 

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种用于提高磁控溅射膜均匀性的结构简单、溅射效果好的工艺气管。 

为实现上述目的，本实用新型所提供的技术方案为：一种用于提高磁控溅射膜均匀性的工艺气管，所述的工艺气管由若干组气嘴组件构成，气嘴组件通过气嘴管连接在四通接头上，四通接头通过气管连接在气源上。 

所述的气嘴组件包括有气嘴、旋转管、旋转座、气嘴接头，其中，气嘴接头通过气嘴管连接在四通接头上，旋转座固装在气嘴接头，旋转管底部套装在旋转座内，旋转管顶部与气嘴连接。 

本实用新型的优点在于：结构简单、操作方便，可全方位调整气嘴角度，且溅射效果好、使用寿命长。 

附图说明

图1为本实用新型的整体结构示意图。 

图2为本实用新型的气管示意图。 

具体实施方式

下面结合所有附图对本实用新型作进一步说明，本实用新型的较佳实施例为：参见附图1和附图2，本实施例所述的用于提高磁控溅射膜均匀性的工艺气管，所述的工艺气管由若干组气嘴组件3构成，气嘴组件3通过气嘴管5连接在四通接头4上，四通接头4通过气管2连接在气源1上。气嘴组件3包括有气嘴6、旋转管7、旋转座8、气嘴接头9，其中，气嘴接头9通过气嘴管5连接在四通接头4上，旋转座8固装在气嘴接头9，旋转管7底部套装在旋转座8内，旋转管7顶部与气嘴6连接。本实施例的结构简单、操作方便，可全方位调整气嘴角度，且溅射效果好、使用寿命长。 

以上所述之实施例只为本实用新型之较佳实施例，并非以此限制本实用新型的实施范围，故凡依本实用新型之形状、原理所作的变化，均应涵盖在本实用新型的保护范围内。