[实用新型]一种具有抗PID性能的光伏组件有效

申请号：	201420084552.0	申请日：	2014-02-26
公开（公告）号：	CN203932083U	公开（公告）日：	2014-11-05
发明（设计）人：	张永红;王继磊;肖晶妹;董仲;章回;吕俊;王艾华;赵建华	申请（专利权）人：	中电电气（南京）光伏有限公司
主分类号：	H01L31/048	分类号：	H01L31/048
代理公司：	南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249	代理人：	陈建和
地址：	211100 江苏省南京***	国省代码：	江苏;32
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摘要：
搜索关键词：	一种具有 pid 性能组件
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【权利要求书】：

1.具有抗PID性能的光伏组件，其特征是包括基底晶体硅（1）、P-N结发射结（2），在P-N结上设有一层氧化硅薄膜（3），氧化硅薄膜上设有氮化硅减反射膜（4），氧化硅薄膜厚度控制在5-20纳米范围内，氮化硅减反射膜厚度在5-30纳米范围内；氧化硅薄膜PECVD沉积的薄膜。

2.根据权利要求1所述的具有抗PID性能的光伏组件，其特征是氧化硅薄膜厚度控制在7-13纳米。

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