[实用新型]一种抗PID的晶体硅太阳能电池组件有效

申请号：	201420084570.9	申请日：	2014-02-26
公开（公告）号：	CN203859125U	公开（公告）日：	2014-10-01
发明（设计）人：	李正茂;李斐斐	申请（专利权）人：	浙江正欣光电科技有限公司
主分类号：	H01L31/048	分类号：	H01L31/048;H01L31/0216;H01L31/049
代理公司：	杭州新源专利事务所(普通合伙) 33234	代理人：	李大刚
地址：	324002 浙***	国省代码：	浙江;33
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	一种 pid 晶体太阳能电池组件
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【权利要求书】：

1.一种抗PID的晶体硅太阳能电池组件，其特征在于：包括晶体硅太阳能电池(3),晶体硅太阳能电池(3)的正面设有高体积电阻率透射膜(2)，高体积电阻率透射膜(2)的上面设有钢化玻璃层(1)；所述晶体硅太阳能电池(3)的背面设有隔紫外线型EVA胶膜层(4)，隔紫外线型EVA胶膜层(4)下面设有背板材料层(5)；所述高体积电阻率透射膜(2)的体积电阻率大于1×10¹⁵Ω·cm。

2.根据权利要求1所述的抗PID的晶体硅太阳能电池组件，其特征在于：所述隔紫外线型EVA胶膜层(4)为紫外线透过率小于25％的EVA胶膜。

3.根据权利要求1所述的抗PID的晶体硅太阳能电池组件，其特征在于：所述高体积电阻率透射膜(2)为高体积电阻率的EVA胶膜。

4.根据权利要求1所述的抗PID的晶体硅太阳能电池组件，其特征在于：所述高体积电阻率透射膜(2)为高体积电阻率的POE膜。

5.根据权利要求1所述的抗PID的晶体硅太阳能电池组件，其特征在于：所述高体积电阻率透射膜(2)包括叠层复合在一起的一层高体积电阻率的EVA胶膜和一层高体积电阻率的POE膜。

6.根据权利要求1所述的抗PID的晶体硅太阳能电池组件，其特征在于：所述高体积电阻率透射膜(2)为光透过率大于90％的透射膜。

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。

免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江正欣光电科技有限公司，未经浙江正欣光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420084570.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。