[实用新型]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

第1层叠膜，隔着第1栅极绝缘膜形成在半导体基板上，由在沿着所述半导体基板的主面的第1方向上延伸的、第1选择栅电极以及所述第1选择栅电极上的第1帽绝缘膜构成；

第1存储器栅电极，隔着包括第1电荷积蓄层的第2栅极绝缘膜而与所述第1选择栅电极的在所述第1方向上延伸的第1侧壁的相反侧的第2侧壁邻接，所述第1存储器栅电极在所述第1方向上延伸；

第1供电部，是所述第1方向中的所述第1选择栅电极的端部，在平面视图中所述第1供电部从所述第1帽绝缘膜露出；以及

第1栓，与所述第1供电部的上表面连接，

所述第1存储器栅电极相比于平面视图中的所述第1供电部以及所述第1帽绝缘膜之间的边界更靠所述第1帽绝缘膜侧终止。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

在平面视图中，在所述第1供电部与所述第1存储器栅电极之间形成有所述第1帽绝缘膜。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，具有：

第2层叠膜，隔着第3栅极绝缘膜形成在所述半导体基板上，由在所述第1方向上延伸的、第2选择栅电极以及所述第2选择栅电极上的第2帽绝缘膜构成；

第2存储器栅电极，隔着包括第2电荷积蓄层的第4栅极绝缘膜而与所述第2选择栅电极的在所述第1方向上延伸的第3侧壁的相反侧的第4侧壁邻接，所述第2存储器栅电极在所述第1方向上延伸；

第2供电部，是所述第2选择栅电极的一部分，所述第2供电部从所述第2选择栅电极的所述第3侧壁，向与所述第1方向正交的第2方向突出，在平面视图中从所述第2帽绝缘膜露出；以及

第2栓，与所述第2供电部的上表面连接，

在所述第2方向上交替排列配置了多个所述第1选择栅电极以及所述第2选择栅电极，

所述第1侧壁以及所述第3侧壁被相对地配置，

在所述第1方向上排列配置了多个所述第1选择栅电极，针对在所述第1方向上相邻的所述第1选择栅电极彼此之间的区域，在所述第2方向上配置了所述第2供电部以及所述第2存储器栅电极的第3供电部。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第1选择栅电极的正上方，在与所述第1方向正交的第2方向中排列配置了所述第1供电部以及所述第1帽绝缘膜。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

在平面视图中，所述第1帽绝缘膜的端部到达所述第1方向中的所述第1选择栅电极的最终端部。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述边界从平面视图中的所述第1侧壁达到所述第2侧壁，沿着与所述第1方向正交的第2方向。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1栓具有在平面视图中在与所述第1方向正交的第2方向上延伸的形状。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1供电部被形成在元件分离区域上，该元件分离区域被形成于所述半导体基板的主面，

所述第1栓的一部分与所述元件分离区域的上表面相接。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，

所述第2栅极绝缘膜包括由第1绝缘膜、形成在所述第1绝缘膜上的所述第1电荷积蓄层以及形成在所述第1电荷积蓄层上的第2绝缘膜构成的第3层叠膜。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述第1供电部形成在元件分离区域上，该元件分离区域被形成于所述半导体基板的主面，

所述第1层叠膜的一部分在所述元件分离区域上从所述第2侧壁向与所述第1方向正交的第2方向突出。