[实用新型]一种高密度集成引线框架

权利要求书

1.一种高密度集成引线框架，其特征在于，包括上片框架（300）和下片框架（100），所述下片框架（100）上设有M×N个第一承放块（10），M和N均为大于1的整数，上片框架（300）上设有M×N个第二承放块（30），所述第二承放块（30）与片状跳线集成为一体形成梯形结构，第二承放块（30）包括跳线端（301）和连接端（302），所述第一承放块（10）包括承放端（101）和连接端（102），第二承放块的跳线端（301）与第一承放块的承放端（101）在水平位置重合、且形成一个用于安装芯片（20）的芯片承放腔。

2.根据权利要求1所述的高密度集成引线框架，其特征在于，所述引线框架的长度为230mm，宽度为80mm，所述下片框架上设有20×20个第一承放块（10），上片框架上设有20×20个第二承放块（30），第二承放块的跳线端（301）与第一承放块的承放端（101）之间形成的芯片承放腔为SMA-FL封装二极管用承放腔。

3.根据权利要求1所述的高密度集成引线框架，其特征在于，所述引线框架的长度为230mm，宽度为80mm，所述下片框架上设有12×24个第一承放块（10），上片框架上设有12×24个第二承放块（30），第二承放块的跳线端（301）与第一承放块的承放端（101）之间形成的芯片承放腔为SOD123-FL封装二极管用承放腔。