[实用新型]新型太阳能光伏组件有效
申请号: | 201420089748.9 | 申请日: | 2014-03-02 |
公开(公告)号: | CN203787440U | 公开(公告)日: | 2014-08-20 |
发明(设计)人: | 曹钱 | 申请(专利权)人: | 江西共晶光伏科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;B32B27/32 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 330026 *** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 新型 太阳能 组件 | ||
技术领域
本实用新型涉及光伏组件技术领域,尤其涉及一种新型太阳能光伏组件。
背景技术
太阳能电池组件也叫太阳能电池板是太阳能发电系统中的核心部分,也是太阳能发电系统中最重要的部分。其作用是将太阳能转化为电能,或送往蓄电池中存储起来,或推动负载工作。
太阳能电池组件的发电原理是对正负电荷,由于在PN结区域的正负电荷被分离,因而可以产生一个外电流场,电流从晶体硅片电池的底端经过负载流至电池的顶端,这就是光生伏打效应。将一个负载连接在太阳能电池的上下两表面间时,将有电流流过该负载,于是太阳能电池就产生了电流;太阳能电池吸收的光子越多,产生的电流也就越大。光子的能量由波长决定,低于基能能量的光子不能产生自由电子,一个高于基能能量的光子将仅产生一个自由电子,多余的能量将使电池发热,伴随电能损失的影响将使太阳能电池的效率下降。太阳能电池组件的组成部分包括玻璃、EVA、TPT和边框,目前市场上的光伏组件多用EVA作为封装材料,EVA是乙烯和乙酸乙烯酯经聚合后成为EVA封装膜,由于这种膜的侧链有个脂基,主链之间缝隙较大,导致EVA的抗张强度,体积电阻率和抗PID性能均有所下降,影响了组件的机械强度和使用安全性,在焊接过程中使用的焊带,表面为锡铅合金,其熔点为180℃-190℃,为保证快速的产线流程,其焊接参数为温度350℃-380℃,时间为3-5秒,在此过程中,太阳能电池片需经受高温的焊接与迅速降至室温的过程,容易出现碎片的情况。
发明内容
本实用新型的目的是提供新型太阳能光伏组件,它结构设计合理,使用方便,不仅可以提高组件的机械强度和体积电阻率及PID性能,还能减少太阳能电池片碎片几率,提高了组件的生产效率,降低了组件的生产成本。
为了解决背景技术所存在的问题,本实用新型是采用以下技术方案:它是由太阳能电池1、第一层压板2、第一PE膜3、钢化玻璃4、第二层压板5、第二PE膜6、塑料衬板7、铝框8、接线盒9组成;太阳能电池1的上表面设置有第一层压板2,第一层压板2的上表面设置有钢化玻璃4,且第一层压板2与钢化玻璃4之间设置有第一PE膜3,太阳能电池1的下表面设置有第二层压板5,第二层压板5的下表面设置有塑料衬板7,塑料衬板7与第二层压板5之间设置有第二PE膜6,太阳能电池1的外部设置有铝框8,铝框8内设置有接线盒9。
所述的第一PE膜3与第二PE膜6均为高密度聚乙烯,厚度为0.4-0.6mm,其抗拉强度在50MPa以上,体积电阻率的数量级在1015以上,并且有较好的抗击PID能力,显著提升了组件的机械强度和体积电阻率。
本实用新型结构设计合理,使用方便,不仅可以提高组件的机械强度和体积电阻率及PID性能,还能减少太阳能电池片碎片几率,提高了组件的生产效率,降低了组件的生产成本。
附图说明:
图1是本实用新型的结构示意图。
具体实施方式:
参照图1,本具体实施方式采用以下技术方案:它是由太阳能电池1、第一层压板2、第一PE膜3、钢化玻璃4、第二层压板5、第二PE膜6、塑料衬板7、铝框8、接线盒9组成;太阳能电池1的上表面设置有第一层压板2,第一层压板2的上表面设置有钢化玻璃4,且第一层压板2与钢化玻璃4之间设置有第一PE膜3,太阳能电池1的下表面设置有第二层压板5,第二层压板5的下表面设置有塑料衬板7,塑料衬板7与第二层压板5之间设置有第二PE膜6,太阳能电池1的外部设置有铝框8,铝框8内设置有接线盒9。
所述的第一PE膜3与第二PE膜6均为高密度聚乙烯,厚度为0.4-0.6mm,其抗拉强度在50MPa以上,体积电阻率的数量级在1015以上,并且有较好的抗击PID能力,显著提升了组件的机械强度和体积电阻率。
本具体实施方式结构设计合理,使用方便,不仅可以提高组件的机械强度和体积电阻率及PID性能,还能减少太阳能电池片碎片几率,提高了组件的生产效率,降低了组件的生产成本。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的