[实用新型]一种多电池串接的充放电防反接电路有效
申请号: | 201420093409.8 | 申请日: | 2014-03-03 |
公开(公告)号: | CN203722307U | 公开(公告)日: | 2014-07-16 |
发明(设计)人: | 方波;张凯 | 申请(专利权)人: | 南京舜唐科技有限公司 |
主分类号: | H02J7/00 | 分类号: | H02J7/00;H02H11/00 |
代理公司: | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11369 | 代理人: | 史霞 |
地址: | 211135 江苏省南京市白*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电池 放电 反接 电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及电路技术领域,特别涉及一种多电池串接的充放电防反接电路。
背景技术
随着新能源技术的不断发展,电池组作为一种可以输出较大能量的动力源等到了广泛的应用,市场上比较常用的锂离子和铅酸电池组在使用的过程中均存在反接的风险,由于电池瞬时输出能量的能力比较大,所以其反接对充电器和电池本身都会造成比较大的伤害,严重的会出现安全事故。
如图1所示为一种现有的驱动电路,其包括P-MOSFET,驱动三极管,驱动电阻。当电池正接时,会在三极管Q2的基极和发射极之间产生一个正向的电压(VBE>0),使三极管Q2饱和开通,把P-MOSFET管Q1的栅极拉到地(VGS=-12V),这样P-MOSFET管Q1就被打开,电路就开始正常工作了;当电池反接时,会在三极管Q2的基极和发射极之间产生一个反向的电压(VBE<0),使三极管Q2关闭,P-MOSFET管Q1的G极就被电阻R1上拉到+12V(VGS=0V),这样P-MOSFET管Q1就被关闭,电池不接入电路中,电路就不工作。此电路存在两个设计缺陷:第一,如我们所知的,单体的电池电压在2-3V左右,这样的电压对于MOSFET的驱动电压来说是很低的,接近于MOSFET的门限电压,这样此电路在低压充电的时候就会存在风险。第二,电池电压充满和馈电的时候电压差别比较大,而MOSFET的GS电压限值一般在20V,这个限值也限制了这个电路在充电电路中的应用。
实用新型内容
针对上述技术中存在的不足之处,本实用新型提供了一种高效、可靠、安全的多电池串接的充放电防反接电路。
本实用新型采用的技术方案是:一种多电池串接的充放电防反接电路,其特征在于,包括:光耦合器件电路,其LED二极管的正向输入端与电池输入正极相连,LED二极管的反向输入端与电池输入负极相连,所述光耦合器件的集电极与内部电源相连,所述光耦合器件的输出端与逻辑与门电路的输入端相连;逻辑与门电路,其对所有光耦和器件的输出端进行逻辑与,所述逻辑与门电路的输出端与继电器驱动电路的输入端相连;继电器驱动电路,其采用光耦和MOSFET组成的两级驱动,所述逻辑与门电路的输出端经所述光耦电平转换对所述MOSFET进行驱动,致使继电器吸合以实现电池组和充电机相互连通。
所述的多电池串接的充放电防反接电路还包括TVS二极管,其与所述光耦合器件的输入端并联,以实现对所述光耦合器件的输入过压保护。
所述的光耦合器件电路中还包括LED限流电阻,其与所述LED二极管的正向输入端相连。
所述光耦合器件的输出端设置有下拉电阻,其保证所述光耦合器件电路的输出端没有悬浮电平。
所述的继电器驱动电路中的继电器均采用共阴极连接方式进行驱动。
所述的继电器驱动电路中还设置有反向续流二极管,其当所述MOSFET切断时,对所述MOSFET实现保护。
本实用新型与现有技术相比,其有益效果是:本实用新型提供的多电池串接的充放电防反接电路,无需从电池取电,只有光耦会使用极其微弱的电流,保证了电池与充电器相接时不会产生很较大漏电流,从而导致电池容量损失;该电路电路体积小、成本低、安全可靠,有效地解决了电池串接的防反接问题。
附图说明
图1为一种现有的驱动电路示意图;
图2为本实用新型的多电池串接的充放电防反接电路的示意图;
图中:1取样电路;2逻辑与门电路;3继电器驱动电路。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型做进一步的详细说明,以令本领域技术人员参照说明书文字能够据以实施。
如图2所示,本实用新型实施例中的多电池串接的充放电防反接电路,包括:
取样电路1,其包括光耦合器件电路和TVS二极管:
所述的光耦合器件电路,其LED二极管的正向输入端与电池输入正极相连,LED二极管的反向输入端与电池输入负极相连,所述光耦合器件的集电极与内部电源相连,所述光耦合器件的输出端与逻辑与门电路的输入端相连,所述的光耦合器件电路中还包括LED限流电阻,其与所述LED二极管的正向输入端相连,所述光耦合器件的输出端设置有10K左右的下拉电阻,其保证所述光耦合器件电路的输出端没有悬浮电平;
TVS二极管,其与所述光耦合器件的输入端并联,以实现对所述光耦合器件的输入过压保护,又起到当电池反接时光耦合器件输入不至于承受大的反向电压的作用。
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