[实用新型]一种LED电流纹波抑制电路及LED发光装置

权利要求书

1.一种LED电流纹波抑制电路，其特征在于，所述LED电流纹波抑制电路与恒流控制电路及LED负载连接，所述恒流控制电路的电流输出端连接所述LED负载的输入端，所述LED电流纹波抑制电路的输入端和输出端分别连接所述LED负载的输出端和所述恒流控制电路的回路端；

所述LED电流纹波抑制电路包括第一电阻R1、第一电容C1、第二电阻R2及NMOS管M1；所述第一电阻R1的第一端与所述NMOS管M1的漏极的共接点为所述LED电流纹波抑制电路的输入端，所述第一电容C1的第一端与所述第一电阻R1的第二端及所述第二电阻R2的第一端共接于所述NMOS管M1的栅极，所述NMOS管M1的源极与所述第二电阻R2的第二端及所述第一电容C1的第二端共接所形成的共接点为所述LED电流纹波抑制电路的输出端；所述NMOS管M1工作于饱和区，由所述第一电阻R1、所述第一电容C1及所述第二电阻R2对所述NMOS管M1的栅极电压纹波进行滤波处理以使所述NMOS管M1减小其漏极的电流纹波。

2.如权利要求1所述的LED电流纹波抑制电路，其特征在于，所述LED电流纹波抑制电路还包括第三电阻R3，所述第三电阻R3连接于所述NMOS管M1的源极与所述第二电阻R2的第二端之间。

3.如权利要求1或2所述的LED电流纹波抑制电路，其特征在于，所述LED电流纹波抑制电路还包括钳位模块，

所述钳位模块包括第四电阻R4、第五电阻R5及PNP型三极管Q1；所述第四电阻R4的第一端与所述PNP型三极管Q1的发射极共接于所述LED负载的输出端，所述第四电阻R4的第二端与所述第五电阻R5的第一端共接于所述PNP型三极管Q1的基极，所述PNP型三极管Q1的集电极和所述第五电阻R5的第二端分别连接所述第一电容C1的第一端和第二端。

4.如权利要求1或2所述的LED电流纹波抑制电路，其特征在于，所述LED电流纹波抑制电路还包括钳位模块，所述钳位模块包括第六电阻R6、第七电阻R7、PMOS管M2及二极管D1；

所述第六电阻R6的第一端与所述PMOS管M2的源极共接于所述LED负载的输出端，所述第六电阻R6的第二端与所述第七电阻R7的第一端共接于所述PMOS管M2的栅极，所述PMOS管M2的漏极连接所述二极管D1的阳极，所述二极管D1的阴极和所述第七电阻R7的第二端分别连接所述第一电容C1的第一端和第二端。

5.一种LED发光装置，包括恒流控制电路和LED负载，其特征在于，所述LED发光装置还包括LED电流纹波抑制电路，所述LED电流纹波抑制电路与所述恒流控制电路及所述LED负载连接，所述恒流控制电路的电流输出端连接所述LED负载的输入端，所述LED电流纹波抑制电路的输入端和输出端分别连接所述LED负载的输出端和所述恒流控制电路的回路端；

所述LED电流纹波抑制电路包括第一电阻R1、第一电容C1、第二电阻R2及NMOS管M1；所述第一电阻R1的第一端与所述NMOS管M1的漏极的共接点为所述LED电流纹波抑制电路的输入端，所述第一电容C1的第一端与所述第一电阻R1的第二端及所述第二电阻R2的第一端共接于所述NMOS管M1的栅极，所述NMOS管M1的源极与所述第二电阻R2的第二端及所述第一电容C1的第二端共接所形成的共接点为所述LED电流纹波抑制电路的输出端；所述NMOS管M1工作于饱和区，由所述第一电阻R1、所述第一电容C1及所述第二电阻R2对所述NMOS管M1的栅极电压纹波进行滤波处理以使所述NMOS管M1减小其漏极的电流纹波。

6.如权利要求5所述的LED发光装置，其特征在于，所述LED电流纹波抑制电路还包括第三电阻R3，所述第三电阻R3连接于所述NMOS管M1的源极与所述第二电阻R2的第二端之间。

7.如权利要求5或6所述的LED发光装置，其特征在于，所述LED电流纹波抑制电路还包括钳位模块，

所述钳位模块包括第四电阻R4、第五电阻R5及PNP型三极管Q1；所述第四电阻R4的第一端与所述PNP型三极管Q1的发射极共接于所述LED负载的输出端，所述第四电阻R4的第二端与所述第五电阻R5的第一端共接于所述PNP型三极管Q1的基极，所述PNP型三极管Q1的集电极和所述第五电阻R5的第二端分别连接所述第一电容C1的第一端和第二端。

8.如权利要求5或6所述的LED发光装置，其特征在于，所述LED电流纹波抑制电路还包括钳位模块，所述钳位模块包括第六电阻R6、第七电阻R7、PMOS管M2及二极管D1；

所述第六电阻R6的第一端与所述PMOS管M2的源极共接于所述LED负载的输出端，所述第六电阻R6的第二端与所述第七电阻R7的第一端共接于所述PMOS管M2的栅极，所述PMOS管M2的漏极连接所述二极管D1的阳极，所述二极管D1的阴极和所述第七电阻R7的第二端分别连接所述第一电容C1的第一端和第二端。