[实用新型]一种具有读取自参考功能的 2-1T1R RRAM 存储单元有效
申请号: | 201420094385.8 | 申请日: | 2014-03-03 |
公开(公告)号: | CN203733475U | 公开(公告)日: | 2014-07-23 |
发明(设计)人: | 任奇伟;潘立阳;韩小炜 | 申请(专利权)人: | 山东华芯半导体有限公司 |
主分类号: | G11C16/06 | 分类号: | G11C16/06 |
代理公司: | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人: | 胡乐 |
地址: | 250101 山东省济南市高*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 读取 参考 功能 t1r rram 存储 单元 | ||
1.一种具有读取自参考功能的2-1T1R RRAM存储单元,其特征在于:包括两个1T1R RRAM存储单元,分别记为1T1R1和1T1R2,其中一个作为主存储单元,另一个作为参考存储单元;
所述1T1R RRAM存储单元包括一个阻变单元R和一个选择晶体管T,阻变单元R具有高阻态和低阻态两个状态,以实现‘0’和‘1’的写入;
主存储单元的阻变单元R与参考存储单元的阻变单元R保持相反的阻态;主存储单元的值即2-1T1R RRAM存储单元的值,参考存储单元为主存储单元产生读取参考电流。
2.如权利要求1所述的存储单元,其特征在于:
对2-1T1R RRAM存储单元写‘1’,则将主存储单元中的阻变单元R设置为低阻态,主存储单元中的字线接电压Vset_wl,位线接电压Vset,源线接地线GND;将参考存储单元中的阻变单元R设置为高阻态,参考存储单元中的字线接电压Vreset_wl,位线接地线GND,源线接电压Vreset;
对2-1T1R RRAM存储单元写‘0’,则将主存储单元中的阻变单元R设置为高阻态,主存储单元中的字线接电压Vreset_wl,位线接地线GND,源线接电压Vreset;将参考存储单元中的阻变单元R设置为低阻态,参考存储单元中的字线接电压Vset_wl,位线接电压Vset,源线接地线GND;
对2-1T1R RRAM存储单元进行读取,则主存储单元和参考存储单元中的字线均接电源电压VDD,位线均接电压Vread,源线均接地线GND,将主存储单元中的位线(21)上的电流和参考存储单元中的位线(26)上的电流送往基于电流模式的灵敏放大器,若主存储单元中的位线(21)上电流大于参考存储单元中的位线(26)上的电流,则读取存储值为“1”,反之,读取存储值为“0”。
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