[实用新型]一种IGBT驱动互锁电路有效

专利信息
申请号: 201420099705.9 申请日: 2014-03-06
公开(公告)号: CN203734640U 公开(公告)日: 2014-07-23
发明(设计)人: 李治国;郑再平;任丽平;黄玉平;郑继贵;王春明 申请(专利权)人: 北京精密机电控制设备研究所;中国运载火箭技术研究院
主分类号: H03K17/567 分类号: H03K17/567
代理公司: 核工业专利中心 11007 代理人: 高尚梅
地址: 100076 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 igbt 驱动 互锁 电路
【权利要求书】:

1.一种IGBT驱动互锁电路,其特征在于:第一输入端InputA通过第一电阻R1接地,第一输入端InputA通过第三电阻R3连接于第二场效应管Q2栅极,第一输入端InputA通过第三电阻R3和第四电容C4接地,第一输入端InputA通过第三电阻R3和第五电阻R5连接于第一场效应管Q1漏极,第一场效应管Q1源极接地,第一输入端InputA通过第三电阻R3和第五电阻R5连接于IGBT驱动芯片U1第一引脚,第一输入端InputA通过第三电阻R3、第五电阻R5第一电容C1接地,第二输入端InputB通过第二电阻R2接地,第二输入端InputB通过第四电阻R4连接于第一场效应管Q1栅极,第二输入端InputB通过第四电阻R4和第三电容C3接地,第二输入端InputB通过第四电阻R4和第六电阻R6连接第二场效应管Q2漏极,第二场效应管Q2源极接地,第二输入端InputB通过第四电阻R4和第六电阻R6连接于IGBT驱动芯片U1第二引脚,第二输入端InputB通过第四电阻R4、第六电阻R6和第二电容C2接地。

2.根据权利要求1所述的一种IGBT驱动互锁电路,其特征在于:所述第一电阻R1、第二电阻R2为SMD4K708051/4W,5%。

3.根据权利要求1所述的一种IGBT驱动互锁电路,其特征在于:所述第三电阻R3、第四电阻R4为SMD10008051/4W,5%。

4.根据权利要求1所述的一种IGBT驱动互锁电路,其特征在于:第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4为多层介质陶瓷电容。

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