[实用新型]磁控溅射镀膜生产线有效
申请号: | 201420103344.0 | 申请日: | 2014-03-07 |
公开(公告)号: | CN203794977U | 公开(公告)日: | 2014-08-27 |
发明(设计)人: | 卢秀强;熊树林;李响 | 申请(专利权)人: | 东莞鑫泰玻璃科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/56 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 张艳美;郝传鑫 |
地址: | 523000 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁控溅射 镀膜 生产线 | ||
技术领域
本实用新型涉及磁控溅射镀膜领域,尤其涉及一种磁控溅射镀膜生产线。
背景技术
众所周知,磁控溅射是为了在低气压下进行高速溅射,必须有效地提高气体的离化率。通过在靶材阴极表面引入磁场,利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率的方法;即在二极溅射中增加一个平行于靶材表面的封闭磁场,借助于靶材表面上形成的正交电磁场,把二次电子束缚在靶材表面特定区域来增强电离效率,增加离子密度和能量,从而实现高速率溅射的过程。
在现有的磁控溅射镀膜生产线中,通常是通过一呈板状长方体结构的磁体来提供磁场,虽然磁控溅射的技术日趋成熟,但是其仍存在众多的缺陷,一方面,由于板状长方体结构的磁体本身的磁场分布是不均匀的,造成了靶材所处区域的磁场分布不均匀,使得在二极溅射中的二次电子的运动不稳定及分布不均匀,最终导致待镀膜的玻璃基片的镀膜分布不均匀及镀膜厚度不一致,从而严重影响了玻璃基片的镀膜质量及合格率;另一方面,由于磁体相对于靶材往往是呈固定设置的,无法移动,对于靶材面积较大而磁体所产生的磁场较小的情况时,则使得靶材的利用率和溅射范围受到限制,无法充分利用靶材,对未处于磁场作用区域内的靶材造成浪费,且很大的制约了玻璃基片镀膜的加工效率,且也会对玻璃基片的镀膜质量及合格率产生一定的不良影响;再者,现有的磁控溅射镀膜生产线还存在结构复杂、镀膜加工效率低、玻璃基片镀膜加工成本高、工艺通用性差及无法满足大批量的生产需求的缺点。
因此,急需要一种磁控溅射镀膜生产线来克服上述存在的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种结构简单及工艺通用性强的磁控溅射镀膜生产线,该磁控溅射镀膜生产线具有能够提高镀膜合格率、镀膜质量、靶材利用率及镀膜加工效率的优点,且该磁控溅射镀膜生产线还能够降低基片镀膜加工成本及满足大批量的生产需求。
为实现上述的目的,本实用新型提供了一种适用于对基片进行镀膜加工的磁控溅射镀膜生产线,包括机座及设于所述机座的传输装置、上料区、真空加工室组、下料区和回传线路,所述上料区、真空加工室组、下料区及回传线路呈环形顺次相连设置且形成连续循环运行的加工环路,所述传输装置呈连续循环运行的设于所述加工环路;所述真空加工室组包含沿传输装置的传输方向顺次相连设置的进料室、前过渡室、前缓冲室、一号镀膜室、二号镀膜室、三号镀膜室、后缓冲室、后过渡室及出料室,所述一号镀膜室、二号镀膜室及三号镀膜室内均设有靶材,所述一号镀膜室、二号镀膜室及三号镀膜室外均设有可移动的且靠近于所对应的所述靶材的磁体及用于调节所述磁体的调节机构,所述调节机构包含移磁调节组件及均磁调节组件,所述移磁调节组件及均磁调节组件均与所述磁体连接,通过所述移磁调节组件驱使所述磁体相对所述靶材沿平行于所述靶材的方向做平移调节操作,通过所述均磁调节组件驱使所述磁体弯曲以调节所述磁体两端与所述靶材的距离;所述基片于所述上料区处装载于所述传输装置,所述传输装置承载所述基片顺次传输于所述进料室、前过渡室、前缓冲室、一号镀膜室、二号镀膜室、三号镀膜室、后缓冲室、后过渡室及出料室以完成基片的镀膜加工,所述基片于所述下料区处从所述传输装置上卸下,所述传输装置经所述回传线路回传至所述上料区。
较佳地,所述调节机构还包含安装架,所述安装架设于所述机座,所述磁体呈移动的设于所述安装架,所述移磁调节组件及均磁调节组件均设于所述磁体及安装架之间。
较佳地,所述移磁调节组件包含主动齿轮及从动条形齿,所述主动齿轮枢接于所述安装架,所述从动条形齿沿所述磁体做平移调节的方向安装于所述磁体,且所述主动齿轮与所述从动条形齿啮合配合;每一所述磁体的两端均设有所述均磁调节组件,所述移磁调节组件位于所对应的所述磁体的中部,所述均磁调节组件包含连接座、抵推螺栓及回拉螺栓,所述连接座连接于所述安装架,所述抵推螺栓的一端螺纹连接于所述连接座,所述抵推螺栓的另一端抵触于所述磁体,所述回拉螺栓的一端螺纹连接于所述磁体,所述回拉螺栓的另一端滑动贯穿所述连接座,所述连接座均位于所述磁体与所述回拉螺栓的螺帽之间,且所述连接座抵触于所述回拉螺栓的螺帽;所述移磁调节组件还形成有顶推部,所述顶推部朝靠近所述靶材的方向抵推于所述磁体。
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