[实用新型]气体泄漏检测装置以及化学试剂供给装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种气体泄漏检测装置以及化学试剂供给装置。 

背景技术

半导体制造工艺主要是进行多次光刻工艺、刻蚀工艺和成膜工艺等，在半导体晶片表面堆叠出有特殊结构的半导体元件。其中，成膜工艺普遍采用热氧化法、化学气相淀积(CVD)工艺，用于形成各种薄膜。其中，热氧化法主要是炉管热氧化法，将反应气体通入高温炉管内后，使反应气体和炉内的半导体晶片发生化学反应，在晶片表面沉积一层薄膜。该工艺用于生长SiO₂、Si₃N₄,SiON或多晶硅等。 

以垂直式的沉积炉管为例，通常在炉管中放置多片晶片，通入反应气体例如氧气、氮气等，于高温环境下在晶片表面生长介质膜。在这个过程中，炉管内壁会产生一些金属离子和高分子的聚合物残留。在进行多次的成膜反应之后，炉管内壁积聚的金属离子和高分子聚合物会越积越多，形成大量的残留物。这些残留物若不加以去除，则于后续工艺中很可能由于受热而成为微粒(particle)的来源，进而影响后续工艺的良率和产品的稳定性。 

为此，业界常通过炉管清洗剂如二氯乙烯(DCE，Cl₂C₂H₂，Dichloroethylene)对炉管进行清洗，可通过化学试剂供给装置向炉管供给二氯乙烯。如图1所示，现有的化学试剂供给装置包括容器10、主管道21、排风管道22以及进气管道23。所述进气管道23用于向容器10内输送氮气。所述主管道21一端伸入至所述容器10中，另一端与一炉管连通。所述排风管道22一端与所述主管道210连通，另一端与厂务端的排风总管道连通。所述主管道21上设有第一阀门21’，所述排风管道22上设有第二阀门22’。在反应进行阶段，开启第一阀门21’，关闭第二阀门22’，向容器10中注入氮气，氮气携带二氯乙烯液体通过主管道20进入炉管内，对炉管进行清洗，这种方法对金属，尤其是碱金属离子，例如钾、 钠等离子具有较好的去除效果。在反应停止阶段，关闭第一阀门21’，打开第二阀门22’，以停止向炉管输送DCE，此时经排风管道22排风。 

然而，在实际生产中发现，在反应进行阶段，由于第二阀门22’密闭不严，仍会有部分DCE泄漏到排风管道22中，从而减少主管道21中的DCE含量，导致工艺受影响，良率出现问题。因此，如何及时检验泄漏的DCE，并根据出现泄漏DCE的情况中止反应，成为亟待解决的问题。 

实用新型内容

为解决现有技术中存在的问题，本实用新型提供一种气体泄漏检测装置以及化学试剂供给装置。 

本实用新型提供一种气体泄漏检测装置，包含： 

加热器，设置于一排风管道上； 

检测器，设置于所述排风管道的出口处，用于检测所述排风管道内是否有分解物；以及 

报警模块，与所述检测器连接，当所述检测器检测到分解物时所述报警模块启动报警。 

进一步的，所述气体泄漏检测装置更包含一控制模块，所述控制模块与所述报警模块连接。 

进一步的，所述加热器环绕于所述排风管道的外壁。 

本实用新型还提供一种化学试剂供给装置，包括容器、主管道、排风管道以及进气管道，所述进气管道伸入所述容器中，所述主管道伸入至所述容器中并与一炉管连通，所述排风管道与所述主管道连通，所述化学试剂供给装置还包括本实用新型提供的气体泄漏检测装置。 

进一步的，所述化学试剂供给装置的主管道上设有第一阀门。 

进一步的，所述化学试剂供给装置的排风管道上设有第二阀门。 

进一步的，所述主管道和排风管道的材质是耐腐蚀性材料。 

进一步的，所述主管道和排风管道的材质是聚四氟乙烯。 

进一步的，所述化学试剂供给装置的进气管道上设置有流量计。 

进一步的，所述的化学试剂供给装置是二氯乙烯供给装置。 

相比于现有技术，本实用新型的气体泄漏检测装置包括设置于一排风管道 上的加热器、设置于所述排风管道出口处的检测器以及与所述检测器连接的报警模块，利用化学试剂如二氯乙烯受热产生分解物如氯化氢气体的特点，通过加热器加热排风管道内的化学试剂，通过检测器检测排风管道内是否存在氯化氢气体，进而来检测排风管道内是否有二氯乙烯的泄露，有利于提高产品良率。 

附图说明

图1为现有技术的化学试剂供给装置的示意图。