[实用新型]EEPROM测试结构有效
| 申请号： | 201420103745.6 | 申请日： | 2014-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN203774312U | 公开（公告）日： | 2014-08-13 |
| 发明（设计）人： | 周川淼;张焕云;方虹 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | eeprom 测试 结构 | ||
1.一种EEPROM测试结构，用于前段工艺的检测，其特征在于，包括：第一金属结构、第二金属结构、第三金属结构和第四金属结构，所述第一金属结构和第三金属结构通过第一顶层金属在上端连通，所述第二金属结构和第四金属结构通过第二顶层金属在上端连通，所述第一金属结构和第二金属结构分别连接于选择栅和控制栅，所述第三金属结构和第四金属结构分别引出连接线。
2.如权利要求1所述的EEPROM测试结构，其特征在于，所述第一金属结构至少包括第一金属层，所述第一金属层连接于选择栅多晶硅。
3.如权利要求1所述的EEPROM测试结构，其特征在于，所述第三金属结构至少包括第一金属层，所述第一金属层连接于控制栅多晶硅。
4.如权利要求1所述的EEPROM测试结构，其特征在于，所述第二金属结构和第四金属结构至少包括第一金属层，所述连接线由所述第一金属层引出，连接至测试焊盘。
5.如权利要求1所述的EEPROM测试结构，其特征在于，所述第一金属结构和第三金属结构之间的间距大于3um。
6.如权利要求1所述的EEPROM测试结构，其特征在于，所述第二金属结构和第四金属结构之间的间距大于3um。
7.如权利要求1所述的EEPROM测试结构，其特征在于，所述第一金属结构和第二金属结构之间的间距大于1μm。
8.如权利要求1所述的EEPROM测试结构，其特征在于，所述第三金属结构和第四金属结构之间的间距大于1μm。
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