[实用新型]一种OLED阵列基板及显示器

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED阵列基板及显示器。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，简称OLED)是一种有机薄膜电致发光器件，其具有制备工艺简单、成本低、发光效率高、易形成柔性结构、视角宽等优点；因此，利用有机发光二极管的显示技术已成为一种重要的显示技术。

目前，OLED显示装置根据发光方向的不同，可以分为顶发射型、底发射型、双面发射型。然而不管是哪种类型，通常情况下需保证阴极和阳极中的其中一个电极采用透明材料，这样光才能从透明材料的电极一侧射出。

例如对于顶发射型OLED的阵列基板，其阴极采用高电阻率的铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，简称ITO)材料，即该顶发射型OLED的阵列基板包括金属材料的阳极、铟锡氧化物(Indium Tin Oxide，简称ITO)材料的阴极、位于阳极和阴极之间的有机材料功能层等结构，其中，有机材料功能层发出的光自透明的阴极一侧射出。

其中，由于透明的ITO材料电阻率较高，容易使阴极电压下降，从而影响OLED显示装置的性能。

现有技术中，通过在OLED显示装置的封装基板上形成图案化的金属层，并形成与金属层接触的ITO层，然后与OLED阵列基板的ITO材料的阴极接触，来改善阴极的电阻率，然而该方法制备工艺较为复杂，会导致生产成本的增加，以及产能的降低。

实用新型内容

本实用新型的实施例提供一种OLED阵列基板及显示器，可降低电极的电阻率，并简化工艺过程。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案；

一方面，本实用新型实施例提供了一种OLED阵列基板，包括有效像素显示区和外围布线区；所述有效像素显示区包括设置在衬底基板上的薄膜晶体管、依次设置在所述薄膜晶体管远离所述衬底基板一侧的第一电极、有机材料功能层、以及透明的第二电极；

所述阵列基板还包括：设置在所述衬底基板和所述第一电极之间且位于同一层的多根金属线；

其中，所述多根金属线均位于所述有效像素显示区和所述外围布线区，且在所述外围布线区，所述多根金属线与所述第二电极连接。

优选的，所述薄膜晶体管包括第一栅极，且相对所述薄膜晶体管的源极和漏极，所述第一栅极靠近所述第一电极设置；所述第一栅极与所述多根金属线同层设置且相互绝缘。

进一步优选的，所述阵列基板还包括设置在所述第一栅极与所述第一电极之间的有机绝缘层。

优选的，所述薄膜晶体管还包括与所述第一栅极垂直对应的第二栅极，且相对所述源极和所述漏极，所述第二栅极靠近所述衬底基板设置。

进一步的，所述薄膜晶体管还包括设置在所述第一栅极和所述第二栅极之间的金属氧化物半导体有源层。

进一步优选的，所述金属氧化物半导体有源层包括第一金属氧化物半导体有源层和第二金属氧化物半导体有源层；

其中，所述第一金属氧化物半导体有源层靠近所述第一栅极设置，所述第二金属氧化物半导体有源层靠近所述第二栅极设置，且所述第一金属氧化物半导体有源层和所述第二金属氧化物半导体有源层通过源极和漏极之间的间隙接触。

基于上述，优选的，所述第一电极与所述薄膜晶体管的漏极电连接。

进一步的，所述第一电极至少包括金属导电层。

另一方面，本实用新型实施例提供了一种OLED显示器，包括上述的OLED阵列基板，以及封装层。

本实用新型实施例提供了一种OLED阵列基板及显示器，该OLED阵列基板包括有效像素显示区和外围布线区；所述有效像素显示区包括设置在衬底基板上的薄膜晶体管、依次设置在所述薄膜晶体管远离所述衬底基板一侧的第一电极、有机材料功能层、以及透明的第二电极；所述阵列基板还包括：设置在所述衬底基板和所述第一电极之间且位于同一层的多根金属线；其中，所述多根金属线均位于所述有效像素显示区和所述外围布线区，且在所述外围布线区，所述多根金属线与所述第二电极连接。通过设置所述金属线，可以同时将并联的金属线和第二电极作为该阵列基板的一个电极，从而可以减小该电极的电阻率。在此基础上，由于只需形成位于同层的多根金属线，其金属线只在外围布线区与第二电极连接，相比现有技术，其工艺过程相对更为简单。

附图说明