[实用新型]一种用于计算机的防断电装置有效
申请号: | 201420107760.8 | 申请日: | 2014-03-11 |
公开(公告)号: | CN203706133U | 公开(公告)日: | 2014-07-09 |
发明(设计)人: | 刘智萍 | 申请(专利权)人: | 江西科技学院 |
主分类号: | G06F1/30 | 分类号: | G06F1/30 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 330098 江*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 计算机 断电 装置 | ||
技术领域
本发明涉及的是计算机领域,具体涉及一种用于计算机的防断电装置。
背景技术
计算机是人们常用的数码设备,当发生停电事故时,计算机在工作过程中突然断电时,工作过程中尚未保存的文件、文本资料就会丢失,计算机硬盘也有可能受到伤害,对此,有些计算机配备了UPS 电源(不间断电源),在市电出现突发性故障时自动为计算机供电,并发出报警信号,提醒工作人员及时存档并关闭计算机,但是UPS 电源成本较高,不适合普通用户,另外停电之后,人们通常不会继续长时间使用计算机。因此,在考虑较低成本的情况下,设计一种新型的计算机防断电装置,使得断电后计算机能及时保存正在编辑的文件资料,是值得研究的方向。
发明内容
针对现有技术上存在的不足,本发明目的是在于提供一种用于计算机的防断电装置,结构简单,能在断电后维持计算机工作一段时间,使得用户可以从容地保存正在编辑的资料,同时使用的都为基本元器件,成本较低,避免了使用UPS 电源造成的高成本。
为了实现上述目的,本发明是通过如下的技术方案来实现:一种用于计算机的防断电装置,包括直流电源、第一PMOS管(P型金属氧化物半导体场效应晶体管)、第二PMOS管、第三PMOS管、NMOS管(N型金属氧化物半导体场效应晶体管)、第一电阻、第二电阻、三极管、继电器、二极管、电容、变压器、蓄电池组、逆变器和计算机主机,第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管的源极均接直流电源,第一PMOS管的栅极接第二PMOS管的栅极、第三PMOS管的栅极,第三PMOS管的漏极接地,第一PMOS管的漏极接NMOS管的漏极,第二PMOS管的漏极接NMOS管的栅极和第一电阻的一端,NMOS管的源极和第一电阻的另一端接地,计算机主机通过继电器的常闭触点与市电连接,计算机主机通过继电器的常开触点与逆变器的一端连接,逆变器的另一端与蓄电池组相连,继电器的线圈一端接直流电源,继电器的线圈另一端接三极管的集电极,三极管的基极接NMOS管的漏极,三极管的发射极接地,市电接变压器的原边,变压器副边的一端接二极管的正极,变压器副边的另一端与二极管的负极之间并接有第二电阻、电容,二极管的负极接NMOS管的栅极。
所述的逆变器采用逆变器MI-75W。
本实用新型的有益效果:结构简单,能在断电后维持计算机工作一段时间,使得用户可以从容地保存正在编辑的资料,同时使用的都为基本元器件,成本较低,避免了使用UPS 电源造成的高成本。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式来详细说明本发明;
图1为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解,下面结合具体实施方式,进一步阐述本发明。
参照图1,本具体实施方式采用以下技术方案:一种用于计算机的防断电装置,包括直流电源V、第一PMOS管MP1(P型金属氧化物半导体场效应晶体管)、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、NMOS管MN(N型金属氧化物半导体场效应晶体管)、第一电阻R1、第二电阻R2、三极管Q、继电器、二极管D、电容C、变压器T、蓄电池组1、逆变器2和计算机主机4,第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3的源极均接直流电源V,第一PMOS管MP1的栅极接第二PMOS管MP2的栅极、第三PMOS管MP3的栅极,第三PMOS管MP3的漏极接地,第一PMOS管MP1的漏极接NMOS管MN的漏极,第二PMOS管MP2的漏极接NMOS管MN的栅极和第一电阻R1的一端,NMOS管MN的源极和第一电阻R1的另一端接地,计算机主机4通过继电器的常闭触点K2与市电连接,计算机主机4通过继电器的常开触点K1与逆变器2的一端连接,逆变器2的另一端与蓄电池组1相连,继电器的线圈3一端接直流电源V,继电器的线圈3另一端接三极管Q的集电极,三极管Q的基极接NMOS管MN的漏极,三极管Q的发射极接地,市电接变压器T的原边,变压器T副边的一端接二极管D的正极,变压器T副边的另一端与二极管D的负极之间并接有第二电阻R2、电容C,二极管D的负极接NMOS管MN的栅极。
值得注意的是,所述的逆变器2采用逆变器MI-75W。
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