[实用新型]一种高温真空炉石墨发热体

说明书

技术领域

本实用新型涉及石墨发热体技术领域，特别是涉及一种用于晶体生长，如硅、蓝宝石、光纤及光纤预制棒等金属或非金属生长的高温处理炉中的石墨发热体。

背景技术

通常在高温真空炉中生长硅、蓝宝石、光纤及光纤预制棒等金属、非金属晶体，高温处理时由于轴向长度生长速度与外径平方成反比，而随着生长技术的发展外径越来越大，大外径晶体的生长速度相对小外径的晶体较慢，从液体中蒸发出来和处在高温下的石墨件挥发出来的杂质都会附于温度相对较低的晶体上。如果晶体外径较小，杂质附着相对较少，但如果晶体外径变大，处在该环境中的时间变长，杂质附着的量也会增加。另外，随着对晶体质量的要求不断提高，为了减少杂质对晶体质量的影响，需要对加热器设计做出改变，使其既能减少杂质的附着，又要不造成成本上的增加。

现有的石墨加热体的结构如图1所示，为开有多个槽1的鸟笼式圆环结构。由于开槽部的厚度、槽宽都一样，所以整个加热部分的温度相同，而处理和晶体生长的面位于加热器开槽部整个高度的中间部（具体高度，根据处理工艺不同而改变），因此会出现都是个射gmian路一段成品处于高温区域的现象。而晶体生长或热处理都是由液相变为固相，如果刚生长（处理）的一段成品还在加热器高温辐射区，会限制晶体生长和热处理的速度。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术中高温真空炉石墨加热体结构的不足，提高加热体加热的均匀性，减少晶体中的杂质。

本实用新型提出一种高温真空炉石墨发热体，包括开有多个槽的鸟笼式圆环石墨加热体，其特征在于：所述石墨加热体的不同加热区域的厚度不同，开槽的宽度不同。

其中，所述加热区域为所述石墨加热体从上到下的区域。

其中，所述石墨加热体上部厚度大，下部厚度小。

其中，所述槽上部槽宽小，下部槽宽大。

本实用新型提出的技术方案通过将石墨加热体的不同加热区域形成温度梯度，使成品区域的温度下降，提高晶体生长和热处理的速度。

附图说明

关于本实用新型的优点与精神可以通过以下的实用新型详述及所附图式得到进一步的了解。

图1为现有高温真空炉石墨发热体结构示意图；

图2为本实用新型高温真空炉石墨发热体第一实施例结构示意图；

图3为本实用新型高温真空炉石墨发热体第二实施例结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图详细说明本实用新型的具体实施例。

如图2所示，在本实用新型高温真空炉石墨发热体的第一实施例中，本实用新型高温真空炉石墨发热体为开有多个槽1的鸟笼式圆环加热体，加热区域为石墨加热体从上到下的区域。石墨加热体上部为厚度大的区域2，下部厚度小。晶体生长的成品位于厚度大的区域，加热温度低，利于晶体生长和热处理的速度。

本实用新型高温真空炉石墨发热体的第二实施例如图3所示，石墨加热体槽的上部槽宽小，下部槽宽3大。晶体生长的成品位于槽宽小的区域，加热温度低，利于晶体生长和热处理的速度。

本实用新型提出的技术方案通过将石墨加热体的不同加热区域形成温度梯度，使成品区域的温度下降，提高晶体生长和热处理的速度。

本说明书中所述的只是本实用新型的较佳具体实施例，以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非对本实用新型的限制。凡本领域技术人员依本实用新型的构思通过逻辑分析、推理或者有限的实验可以得到的技术方案，皆应在本实用新型的范围之内。