[实用新型]一种倍频晶体的温控及调节装置有效
申请号: | 201420114437.3 | 申请日: | 2014-03-13 |
公开(公告)号: | CN203967501U | 公开(公告)日: | 2014-11-26 |
发明(设计)人: | 王培飞;张伟;刘焕明;沈国生 | 申请(专利权)人: | 合肥亚澳激光科技有限公司 |
主分类号: | H01S3/042 | 分类号: | H01S3/042 |
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地址: | 230051 安徽省*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 倍频 晶体 温控 调节 装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及激光器制造技术领域,具体涉及一种倍频晶体的温控及调节装置。
背景技术
激光具有高相干性、方向性、高强度的特质,很容易获得很高的光通量密度,高功率激光应用的领域越来越广泛,随着科技的发展进步,人们对精细度要求也越来越高,绿光、紫外、深紫外等高端激光加工设备的时代也随之到来,倍频晶体是近几年激光领域人们关注的热点之一,倍频晶体是激光产品的核心部件之一,通常,人们在安装过程中疏忽了机械应力,导致晶体炸裂,或是没有预留热膨胀让位空间,导致晶体炸裂,再有,调节激光光路时由于工作空间限制,光路没有完全居中,高功率基频光损伤晶体边缘。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种倍频晶体的温控及调节装置,以解决上述技术问题。
本实用新型所要解决的技术问题采用以下技术方案来实现:
一种倍频晶体的温控及调节装置,其特征在于,主要包括散热装置、激光器底板、调节基座、调节台、温控单元、晶体热沉基座、激光晶体和晶体上压盖,所述激光晶体固定在晶体热沉基座与晶体上压盖之间,所述晶体热沉基座与晶体上压盖通过螺钉连接,所述螺钉上套设有弹簧,所述温控单元一侧通过高温导热胶与晶体热沉基座连接,所述温控单元另一侧通过高温导热胶与调节台连接,所述调节台通过螺钉固定在调节基座上,所述调节基座通过螺钉固定在激光器底板上,所述调节基座下端连接散热装置。
所述调节基座与散热装置的接触面以及调节基座与调节台的接触面均为 研磨配合,通过精细研磨,充分接触才能保证良好导热。
所述调节台上端设置有螺纹接口,为方便调节,螺纹接口上可加装调节手柄。
所述温控单元为加热单元或制冷单元。
晶体上压盖卡住晶体,在所述的晶体热沉基座侧面设有温度传感器安装孔,所述晶体上压盖上设有3颗螺钉安装孔,通过安装弹性螺钉固定,其作用为消除安装应力和激光晶体工作时热膨胀所预留的弹性缓冲,有效保护激光晶体不炸裂。
所述晶体热沉基座背部与温控单元直接连接,所述温控单元可以是加热单元也可以是制冷单元,连接方式为高导热效率导热胶进行固化,所述晶体热沉基座底部为悬空,不与任何零件直接接触,此目的是避免接触后元件之间串温,所述控制单元另一面与调节台以同样方式直接连接,注意的是,直接连接面最好通过精细研磨,充分接触才能保证良好导热。
所述调节台与调节基座导热壁连接,接触面要求研磨,通过螺钉间隙可以轻微俯仰,高低等调节。
所述调节基座与激光器底板通过螺钉连接,通过通槽式设计可以做一维调节,调节基座底部与散热装置连接,接触面要求研磨,此散热装置可以是散热片风力散热,也可以是水冷板水流散热。
本实用新型的有益效果为:
本实用新型具有有效降低晶体的安装应力,满足倍频晶体多方位调节,构思新颖、工艺规范、安装稳定、兼容性好、加热制冷效果好,可以完全满足一般晶体安装调节的需求。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图。
图2为本实用新型主视剖视图。
具体实施方式
为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明 白了解,下面结合具体实施例和附图,进一步阐述本实用新型,但下述实施例仅仅为本实用新型的优选实施例,并非全部。基于实施方式中的实施例,本领域技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得其它实施例,都属于本专利的保护范围。
如图1-2所示,一种倍频晶体的温控及调节装置,主要包括散热装置14、激光器底板1、调节基座2、调节台4、温控单元11、晶体热沉基座5、激光晶体6和晶体上压盖8,激光晶体6固定在晶体热沉基座5与晶体上压盖8之间,晶体热沉基座5与晶体上压盖8通过螺钉7连接,螺钉7上套设有弹簧9,温控单元11一侧通过高温导热胶与晶体热沉基座5连接,温控单元11另一侧通过高温导热胶与调节台4连接,调节台4通过螺钉7固定在调节基座2上,调节基座2通过螺钉7固定在激光器底板1上,调节基座2下端连接散热装置14,调节台4上端设置有螺纹接口10,用于连接调节手柄。
以上显示和描述了本实用新型的基本原理、主要特征和本实用新型的优点。本行业的技术人员应该了解,本实用新型不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的仅为本实用新型的优选例,并不用来限制本实用新型,在不脱离本实用新型精神和范围的前提下,本实用新型还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本实用新型范围内。本实用新型要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
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