[实用新型]屏蔽片以及接近传感器

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种屏蔽片以及具有该屏蔽片的电磁感应式的接近传感器。

背景技术

电磁感应式的接近传感器，由于能够以非接触方式进行检测，不会磨损和损伤检测对象物，因此越来越得到普及。电磁感应式的接近传感器具有电磁感应式线圈，该电磁感应式线圈由电感线圈与铁氧体磁芯构成，并且连接有振荡电路。在对导体（一般为金属）目标进行检测时，振荡电路驱动电磁感应式线圈产生一个交变磁场，当导体目标接近这个磁场并达到感应距离时，导体目标内会产生涡电流，从而令振荡衰减甚至停止振荡，最后，该振荡的变化会经过电路的处理和转换成而作为信号输出，从而达到非接触式的检测。

对于这种接近传感器的电磁感应式线圈，如果受到外部电磁干扰，则会影响到检测精度，参照图1A，用雷电符号表示其受到的干扰。

为了提高接近传感器的电磁感应式线圈的抗干扰能力，会对磁芯表面施加屏蔽措施。在现有技术中，通常在磁芯表面蒸着镀膜，或者贴附导电性能较好的金属质（如铜箔）的屏蔽片（膜）。但是，就镀膜而言（参照图1B，雷电符号较图1A减少了大部分，表示干扰被屏蔽掉大部分），由于蒸镀工序复杂、材料成本高，因此镀膜铁芯价格昂贵；就全面覆盖金属屏蔽片而言（参照图1C，雷电符号较图1A减少了大部分，表示干扰被屏蔽掉大部分），一般会因为考虑到屏蔽片上产生的涡电流（图中虚线所示）会对电感线圈产生磁场造成损失（金属物质在磁场的作用下，表面会产生的涡电流，涡电流再产生感应磁场反作用于电感线圈）；就使用较小面积的屏蔽片（参照图1D，雷电符号较图1A减少了小部分，表示干扰仅被屏蔽掉一小部分）而言，仅屏蔽膜区域有屏蔽效果，屏蔽膜之外耐噪音能力弱，即，以牺牲一部分的屏蔽效果来确保电感线圈的磁场强度。因此，这些图1A～1D中的屏蔽措施并不尽如人意。

实用新型内容

本实用新型是鉴于上述问题而做成的，目的在于，提供一种屏蔽片以及具有该屏蔽片的电磁感应式的接近传感器，该屏蔽片能够阻断屏蔽片表面涡电流的通路，使其具有优异的电磁屏蔽性能的同时，又能满足接近传感器对电感线圈的感度（品质因素）的要求。

为了达到上述目的，本实用新型提供一种屏蔽片，覆盖在磁芯上，用于屏蔽对磁芯的干扰，其特征在于，包括由导电材料构成的共同体和扩展体；所述共同体，与所述扩展体相连接；所述扩展体，包围在所述共同体的周围，被多个条状切口分割为以所述共同体为中心向所述磁芯外部延伸的多个条状片。

优选地，在所述的屏蔽片中，在所述屏蔽片上，所述切口被绝缘体填充。

优选地，在所述的屏蔽片中，所述磁芯为圆形，所述多个条状片以所述共同体为圆心，沿向心方向延伸至所述磁芯的边缘。

另外，本实用新型还提供一种电磁感应式的接近传感器，所述接近传感器的磁芯上覆盖有权利要求1～3中任意一项所述的屏蔽片。

根据所述屏蔽片以及具有该屏蔽片的电磁感应式的接近传感器，该屏蔽片能够阻断屏蔽片表面涡电流的通路，使其具有优异的电磁屏蔽性能的同时，又能满足接近传感器对电感线圈的感度（品质因素）的要求。

附图说明

图1A～1D是用于说明现有技术的示意图，其中，图1A示出了无屏蔽抗干扰措施的情况，图1B示出了蒸镀磁芯来抗干扰的情况，图1C示出了全面覆盖金属屏蔽片的情况，图1D示出了小面积屏蔽抗干扰的情况。

图2是本实用新型的屏蔽片的分解图。

图3是将本实用新型的屏蔽片覆盖在磁芯上的示意图。

具体实施方式

下面，参照附图来说明本实用新型的具体实施方式。

参照图2、3，实施方式中采用的磁芯2为圆柱形，屏蔽片1覆盖在磁芯2的上表面，因此使该屏蔽片1的形状适合磁芯2而大致成为圆形。然而，屏蔽片1和磁芯2的形状并非仅限于圆形，而是可以根据需要做成各种形状，只要屏蔽片1的形状适合覆盖磁芯2即可。

如图2所示，屏蔽片1包括共同体1-1和扩展体1-2，共同体1-1和扩展体1-2均由导电材料构成，优选两者采用共同的材质，即具有优良导电性能的金属材质。共同体1-1与扩展体1-2相连接而构成屏蔽片1，在图2中，扩展体1-2包围在共同体1-1的周围，被多个条状切口分割为以共同体1-1为中心向磁芯2外部延伸的多个条状片。换句话说，可以理解为将原本与磁芯2表面同等面积的圆形的导体片从其外径每隔一定角度向内剪断一部分，从而形成了屏蔽片1。