[实用新型]一种偏振出光发光二极管有效
| 申请号： | 201420116217.4 | 申请日： | 2014-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN203787452U | 公开（公告）日： | 2014-08-20 |
| 发明（设计）人： | 曹冰;邢贺;张桂菊;王钦华 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/46 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 陶海锋 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 偏振 发光二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种偏振出光发光二极管，其结构为n型GaN层(2)生长于衬底(1)之上，量子阱(3)生长于n型GaN层之上，p型GaN层(4)生长于量子阱之上，过渡层(5)生长于p型GaN层之上，其特征在于：在发光二极管的出光端面上设置一个复合光栅结构，所述的复合光栅结构为在过渡层(5)和表面金属光栅结构(7)之间加入空气隙(6)，空气隙的厚度为60～350nm，过渡层(5)的厚度为50～250nm，表面金属光栅的周期为60～400nm, 占空比为0.2～0.9，深度为60～400nm。
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