[实用新型]一种立体发光LED芯片灯丝及LED灯泡有效

专利信息
申请号: 201420117141.7 申请日: 2014-03-13
公开(公告)号: CN203774366U 公开(公告)日: 2014-08-13
发明(设计)人: 欧南杰 申请(专利权)人: 东莞市奇佳电子有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64
代理公司: 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 代理人: 李永庆
地址: 523000 广东省东莞市樟木*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 立体 发光 led 芯片 灯丝 灯泡
【权利要求书】:

1.一种立体发光LED芯片灯丝,包括长条形透明支架(1)和沿透明支架(1)上设有若干分体二极发光体(2),其特征在于:透明支架(1)构成芯片整体衬底,分体二极发光体(2)包括依次层叠设置的N-GaN层(21)、MQW发光层(22)、P-GaN层(23),N-GaN层(21)表面设有N电极(21a),P-GaN层(23)表面设有P电极(23a),在N电极(21a)和P电极(23a)处的分体二极发光体(2)表面设有SiO2钝化层(3),在N电极(21a)和P电极(23a)的上表面在所对的SiO2钝化层(3)处形成露空的导通窗口,SiO2钝化层(3)外覆盖金属线路连接外层(4)使相邻分体二极发光体(2)之间的N电极(21a)和P电极(23a)依次串联导通、两端为N电极(21a)和P电极(23a)的外接电极延伸端。 

2.根据权利要求1所述立体发光LED芯片灯丝,其特征在于:透明支架(1)为蓝宝石。 

3.根据权利要求1所述立体发光LED芯片灯丝,其特征在于:N-GaN层(21)宽度大于P-GaN层(23),在一侧形成露台(21b),N电极(21a)设置在露台(21b)上。 

4.根据权利要求1或3所述立体发光LED芯片灯丝,其特征在于:N电极(21a)和P电极(23a)的上下位置可以对调设置。 

5.根据权利要求1所述立体发光LED芯片灯丝,其特征在于:N电极(21a)和P电极(23a)为印刷金属或合金电极层,两端的N电极(21a)和P电极(23a)的金属线路连接外层(4)延伸至透明支架(1)两端部。 

6.根据权利要求1所述立体发光LED芯片灯丝,其特征在于:N-GaN层(21)和P-GaN层(23)为透明化合物半导体。 

7.根据权利要求1所述立体发光LED芯片灯丝,其特征在于:透明支架(1)为长条状,分体二极发光体(2)沿透明支架(1)长度方向等距设置,所述透明支架(1)两端设有金属连接件(5),金属连接件内侧设有呈U字型卡口(5a),U字型卡口(5a)卡扣在透明支架两端与N电极(21a)和P电极(23a)上形成接触电连接。 

8.根据权利要求7所述立体发光LED芯片灯丝,其特征在于:由整块的透明基板形成若干等宽的可分离折断痕(11),可折断痕之间形成等宽条状的透明支架(1),若干的金属连接件(5)并排,后侧设有辅助支架(5b)连接形成连体的金属连接件组, 

金属连接件(3)和辅助支架(5b)之间分别设有可分离折断痕(5c)。 

9.一种LED灯泡,其特征在于:包括权利要求1至8任一所述的立体发光LED芯片灯丝。 

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