[实用新型]三维磁场强度测量仪有效
申请号: | 201420117907.1 | 申请日: | 2014-03-16 |
公开(公告)号: | CN203720340U | 公开(公告)日: | 2014-07-16 |
发明(设计)人: | 汪建;詹永欣;卢常芳 | 申请(专利权)人: | 四川农业大学;汪建 |
主分类号: | G01R33/07 | 分类号: | G01R33/07 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 625000 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 三维 磁场强度 测量仪 | ||
1.一种三维磁场强度测量仪,其特征是:测量仪由测量仪主机和三维测量架组成,测量仪主机上设置有液晶屏(1)、选择按键(2)、初始按键(3)、测量按键(4)、信号输入接口(7)、SD卡接口(6)和USB接口(5),测量仪主机内具有微处理器主芯片,信号调理、A/D转换、FPGA控制、存储管理和液晶显示电路;三维测量架上具有传感测量头和三维方向的移动测量支架。
2.根据权利要求1所述的三维磁场强度测量仪,其特征是:其传感测量头是一个立方体,采用6片表面贴型线性霍尔传感器,每两片灵敏度相同的传感器为一组,一正一反分别贴于立方体相对的面上,6个霍尔传感器在立方体的六个面上对称分布。
3.根据权利要求1所述的三维磁场强度测量仪,其特征是:其三维方向的移动测量支架上都具有测量尺,传感测量头固定于测量头支架上,并与Y轴方向的移动测量支架相连接。
4.根据权利要求1所述的三维磁场强度测量仪,其特征是:其测量仪主机内的微处理器主芯片采用TI公司新推出的高性能16位MSP430F2系列的芯片。
5.根据权利要求1所述的三维磁场强度测量仪,其特征是:其信号输入接口采用多芯航空插座。
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