[实用新型]一种低温治疗仪智能控制电路

权利要求书

1.一种低温治疗仪智能控制电路，其特征在于：包括一个由三极管、MOS管、电阻和电容这四类器件组成的开关电路，以及一个控制开关电路工作的MCU；电阻R1被接在MCU的控制输入IO管脚与三极管Q1的基极之间；三级管Q1的发射极接地；三极管Q1的集电极与电阻R2一端相连，电阻R2的另一端与电源之间接入一个由电阻R3、电容C1组成的并联电路；MOS管Q2的源极接电源；一个由电阻R5、电容C2组成的串联电路被接在MOS管Q2的栅极与漏极之间；MOS管Q2的栅极还连接着电阻R4，电阻R4的另一端与电源之间接入一个由电阻R3、电容C1组成的并联电路；保险丝F1一端与MOS管Q2的漏极相连，另一端经过一个并联电路与地相连，此并联电路有三条支路，第一条支路为电容C3，第二条支路为外接负载，第三条支路为一个由电阻R6、电阻R7组成的串联电路；MCU的故障检测IO管脚与地之间接入电阻R7。 

2.如权利要求1所述的低温治疗仪智能控制电路，其特征在于：所述MOS管Q2为P沟道增强型MOS管，型号为AOD4185或AOB2608L。 

3.如权利要求1或2所述的低温治疗仪智能控制电路，其特征在于：根据选配的MOS管Q2的型号不同，开关电流的调节范围为1～50安培。 

4.如权利要求1所述的低温治疗仪智能控制电路，其特征在于：所述三极管Q1为NPN管。