[实用新型]一种吸附装置及干法刻蚀设备

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示器技术领域，尤其涉及一种吸附装置及干法刻蚀设备。

背景技术

在薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD）行业中的干法刻蚀工艺中，一般采用等离子体对玻璃基板进行刻蚀，在刻蚀过程中如果对玻璃基板不进行位置固定，玻璃基板就会发生漂移，这将会影响玻璃基板的刻蚀效果和刻蚀准确度。现有技术为了固定玻璃基板，一般在干法刻蚀腔体中的下基台处使用下部电极，上部电极在等离子体刻蚀过程中产生负电荷，下部电极在等离子体刻蚀过程中产生正电荷，此时可以利用静电吸附作用对玻璃基板进行固定，防止玻璃基板漂移。由于下部电极的表面由硬度高于玻璃的陶瓷包覆，长期静电作用及其它因素的影响，下部电极表面沉积了其它物质，且容易牢牢的粘附在玻璃基板的下表面，故在干法刻蚀结束后，玻璃基板从电极表面抬起时，玻璃基板的下表面容易被电极划伤，形成许多微小的裂痕，并且在薄膜晶体管液晶显示器的后续工艺中，玻璃基板环境的温度存在快速上升和快速下降的过程，如在后续工艺中玻璃基板环境的温度快速上升到300℃，之后又快速下降到室温，在这个温度快速上升和快速下降的过程中，玻璃基板上的裂痕会扩大，而扩大的裂痕会对玻璃基板内部形成一定的破坏作用，即玻璃基板的均匀性会降低，当光通过时，容易造成光的散射，形成不均匀（Mura）。

综上所述，现有技术中的玻璃基板在干法刻蚀过程中容易形成不均匀，为了提高玻璃基板的均匀性，现有技术一般采用缩短电极维护周期的方法，但是这种方法会占用大量时间，影响产能，增加时间、人工及物料成本。

实用新型内容

本实用新型实施例提供了一种吸附装置及干法刻蚀设备，用以降低玻璃基板与下部电极之间的作用力，减少玻璃基板的裂痕数量，从而改善玻璃基板的不均匀。

本实用新型实施例提供的一种吸附装置，包括上部电极、下部电极和基台，其中，所述装置还包括位于所述基台上的至少两个固定部件，用于与放置于所述下部电极上的玻璃基板的边缘接触，使所述玻璃基板固定于所述下部电极上。

由本实用新型实施例提供的吸附装置，由于该装置包括位于所述基台上的至少两个固定部件，用于与放置于所述下部电极上的玻璃基板的边缘接触，使所述玻璃基板固定于所述下部电极上，因此本实用新型实施例提供的吸附装置能够降低玻璃基板与下部电极之间的作用力，减少玻璃基板的裂痕数量，从而改善玻璃基板的不均匀。

较佳地，所述固定部件为柱状结构体。

这样，由于固定部件为柱状结构体，在实际生产中能够更好的固定放置于所述下部电极上的玻璃基板。

较佳地，当所述柱状结构体的个数为两个，所述柱状结构体放置于所述下部电极上的玻璃基板的对边位置。

这样，当所述柱状结构体的个数为两个，所述柱状结构体放置于所述下部电极上的玻璃基板的对边位置，在实际生产中更加简单、方便。

较佳地，放置于所述下部电极上的玻璃基板的邻边位置的所述柱状结构体的个数相同。

这样，放置于所述下部电极上的玻璃基板的邻边位置的所述柱状结构体的个数相同，在实际生产过程中简单、方便。

较佳地，所述柱状结构体为长方体或圆柱体，所述柱状结构体的高度大于所述下部电极。

这样，当所述柱状结构体为长方体或圆柱体时，且所述柱状结构体的高度大于所述下部电极，在实际生产过程中简单、方便。

较佳地，所述装置还包括位于所述基台上的滑槽、位于所述滑槽上的滑轨以及位于所述滑轨上的卡件，所述柱状结构体位于所述滑槽内的滑轨上，所述卡件用于分别将所述柱状结构体固定在所述滑轨上的第一位置和第二位置，其中，所述第一位置处所述柱状结构体与放置于所述下部电极上的玻璃基板的边缘不接触，所述第二位置处所述柱状结构体与放置于所述下部电极上的玻璃基板的边缘接触。

这样，由于所述吸附装置还包括位于所述基台上的滑槽、位于所述滑槽上的滑轨以及位于所述滑轨上的卡件，所述柱状结构体位于所述滑槽内的滑轨上，所述卡件用于分别将所述柱状结构体固定在所述滑轨上的第一位置和第二位置，其中，所述第一位置处所述柱状结构体与放置于所述下部电极上的玻璃基板的边缘不接触，所述第二位置处所述柱状结构体与放置于所述下部电极上的玻璃基板的边缘接触，在实际生产过程中能够更加方便、简单的固定放置于下部电极上的玻璃基板。

较佳地，所述柱状结构体为长方体或圆柱体，所述柱状结构体的高度小于或等于所述下部电极。