[实用新型]发光装置有效

专利信息
申请号: 201420125850.X 申请日: 2014-03-19
公开(公告)号: CN203836646U 公开(公告)日: 2014-09-17
发明(设计)人: 田中裕隆;西村洁;下川一生;佐佐木阳光;羽布津章义 申请(专利权)人: 东芝照明技术株式会社
主分类号: F21S2/00 分类号: F21S2/00;F21V29/00;F21Y101/02
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 臧建明
地址: 日本神奈川县横*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 发光 装置
【权利要求书】:

1.一种发光装置,其特征在于包括:

基板;

多个半导体发光元件,设置于所述基板上;以及

波长转换层,覆盖所述多个半导体发光元件,对从所述多个半导体发光元件放射出的光的波长进行转换;并且

所述多个半导体发光元件中的相邻的两个所述半导体发光元件之间的第1区域内所述波长转换层的上表面与所述基板之间的第1距离,短于所述半导体发光元件上的第2区域内所述波长转换层的所述上表面与所述基板之间的第2距离。

2.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于:在所述第1区域内,形成有从所述波长转换层的所述上表面向所述基板方向凹陷的凹部,所述凹部的最深部分与所述基板之间的所述第1距离短于所述第2距离。

3.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于:所述第1距离与所述第2距离之差的绝对值为所述第2距离的0.69倍以上且为所述第2距离的0.9倍以下。

4.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于:所述多个半导体发光元件设置于安装区域上,所述安装区域设置于所述基板上,位于所述安装区域的中央部的所述半导体发光元件的相关所述第2距离,短于位于所述安装区域的外侧部的所述半导体发光元件的相关所述第2距离,并且位于所述安装区域的所述中央部的所述半导体发光元件的相关所述第1距离,短于位于所述安装区域的所述外侧部的所述半导体发光元件的相关所述第1距离。

5.根据权利要求4所述的发光装置,其特征在于:所述中央部与所述外侧部各自包括凹部,且所述中央部的凹部的深度大于所述外侧部的所述凹部的深度。

6.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于:所述多个半导体发光元件包括:

第1半导体元件;

第2半导体元件,在与所述基板的上表面平行的第1方向上,与所述第1半导体元件相离;

第3半导体元件,在与所述上表面平行且与所述第1方向交叉的第2方向上,与所述第1半导体元件相离;以及

第4半导体元件,在所述第1方向上与所述第3半导体元件相离,并且在所述第2方向上与所述第2半导体元件相离;

所述波长转换层包括:

第1部分,设置于所述第1半导体元件与所述第2半导体元件之间;

第2部分,设置于所述第1半导体元件与所述第3半导体元件之间;

第3部分,设置于所述第2半导体元件与所述第4半导体元件之间;

第4部分,设置于所述第3半导体元件与所述第4半导体元件之间;以及

第5部分,设置于所述第1部分与所述第4部分之间、以及所述第2部分与所述第3部分之间;并且

所述第5部分中的所述波长转换层的上表面与所述基板之间的第3距离短于所述第1距离。

7.根据权利要求6所述的发光装置,其特征在于:所述第1部分、所述第2部分、所述第3部分、所述第4部分及所述第5部分各自包括凹部,且所述第1部分、所述第2部分、所述第3部分及所述第4部分的各自的凹部为沟槽状,所述第5部分中的凹部为大致圆锥状。

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