[实用新型]一种自带散热装置的雪崩光电二极管耦合器有效
申请号: | 201420126104.2 | 申请日: | 2014-03-20 |
公开(公告)号: | CN203774353U | 公开(公告)日: | 2014-08-13 |
发明(设计)人: | 项疆腾;王信群;袁昌明 | 申请(专利权)人: | 中国计量学院 |
主分类号: | H01L31/107 | 分类号: | H01L31/107;H01L31/024 |
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地址: | 310018 浙江省杭州市江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 散热 装置 雪崩 光电二极管 耦合器 | ||
技术领域
本实用新型属于光电检测技术领域,具体涉及一种自带散热装置的雪崩光电二极管耦合器。
背景技术
雪崩光电二极管(APD)具有响应速度快、量子效率高、噪声小等优点,是微弱光信号转变成电信号的重要器件。但APD的增益会随该器件所处环境温度的变化而发生波动,影响应用系统的稳定性,因而保持其工作在恒温状态十分重要。
为了保持其增益稳定性,可将微型半导体制冷器与APD整体封装制成APD组件,如申请号为201110309963.6就公开了一种带温控功能的APD-TIA同轴型光电组件及制造方法,在工作过程中,根据环境温度的变化使得半导体制冷器制冷或制热,从而使APD工作温度保持恒定。但当微型半导体制冷器制冷时,所产生的热量如不能快速向周围环境散失,制冷效果将受到极大削弱。现有的散热方式主要依赖APD耦合器自然散热,效率较低。
发明内容
本实用新型的目的是提供一种自带散热装置的雪崩光电二极管耦合器,来弥补现有耦合器结构设计的不足,以满足生产和应用的需求。
本实用新型一种自带散热装置的雪崩光电二极管耦合器,包括散热装置和耦合器本体;所述散热装置由基板和肋片构成,基板上有通孔;所述耦合器本体一侧为光纤跳线接头,另一侧为APD接头;光纤跳线接头内部有变径通孔; APD接头内部有空腔;其特征在于:在耦合器本体上增加了散热装置。
作为本实用新型的优选方案:散热装置由主散热装置和辅助散热装置组成,主散热装置与辅助散热装置的基板尺寸相同,两者紧密贴合,且主散热装置位于辅助散热装置上方。
本实用新型一种自带散热装置的雪崩光电二极管耦合器与现有耦合器相比较,由于本实用新型在现有技术的基础上,加装了散热装置,可增大散热量,避免热量的集聚。本实用新型耦合器结构合理,加工方便,安装简单,满足批量生产、使用的需要。
附图说明
图1为本实用新型一种自带散热装置的雪崩光电二极管耦合器的剖视图;
图2为耦合器本体的剖视图;
图3为内芯的剖视图;
图4为主散热装置与辅助散热装置的剖视图。
具体实施方式
实施例1:
图1为本实用新型一种自带散热装置的雪崩光电二极管耦合器的剖视图;图2为耦合器本体的剖视图;图3为内芯的剖视图;图4为主散热装置与辅助散热装置的剖视图。如上述附图所示,本实用新型一种自带散热装置的雪崩光电二极管耦合器,包括散热装置1和耦合器本体2。
所述散热装置1由主散热装置4和辅助散热装置5组成。主散热装置4材质为铝型材,尺寸为50mm×30mm×22.5mm;基板4a厚度4.6mm;在基板4a上,左右两侧各均布3片肋片4c,高度均为17.9mm,厚度均为1.1mm,间距为7mm;在基板4a中心上有一个带螺纹的通孔4b,直径18mm,螺距为0.75mm;两个螺孔4d位于基板4a纵向中心线上,距离基板4a中心均为12.25mm,螺纹规格为M3×0.5。辅助散热装置5材质为铝型材,尺寸为50mm×30mm×3mm;基板5a厚度1.5mm;在基板5a上,左右两侧各均布4片肋片5c,高度均为1.5mm,厚度均为1mm,间距为1.7mm;在基板5a中心上有一个直径为18mm的通孔5b;两个直径为3mm的通孔5d位于基板5a纵向中心线上,距离基板5a中心均为12.25mm。装配时使用M3×0.5螺钉连接主散热装置4和辅助散热装置5。
所述耦合器本体2由黄铜制成,表面镀铬,一侧为光纤跳线接头2a,另一侧为带外螺纹的APD接头2d。光纤跳线接头2a外部螺纹2f的规格为M8×0.75,上部开有一个宽度为2.2mm、高度为2mm的缺口2e,内部具有变径通孔2b,自上而下三个孔的直径分别为6.1mm、4.35mm和6.4mm,深度分别为3.8mm、2.75mm和1.7mm;光纤跳线接头2a可与FC光纤跳线接头连接。APD接头2d外部具有M18×0.75的外螺纹2g,与主散热装置4上的通孔4b连接,内部为空腔2c,直径为14mm,深度为6.5mm,用于放置APD。
可在所述光纤跳线接头2a内安装内芯3;内芯3由直径分别为4.35mm和6.4mm的不锈钢圆柱3a构成,高度分别为6mm、1.5mm;内芯3内部具有变径通孔3b,自上而下,两个孔的直径分别为2.5mm、0.8mm,深度分别为6.5mm、1mm。
装配时,在空腔2c内部均匀的涂抹一层具有粘性的导热硅胶。
实施例2:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的