[实用新型]一种自锁高端驱动电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及电路领域，具体涉及一种自锁高端驱动电路。

背景技术

高端驱动是指在负载的供电端进行开关操作，现有技术中带自锁功能的高端驱动电路一般采用驱动集成电路（Integrated Circuit，IC）来实现，即采用专门的驱动芯片实现带自锁功能的高端驱动电路，这种方式的优点是使用简单，缺点是工作电压范围较小，很难实现在3V以下依然能够有自锁功能，此外，采用专门的驱动芯片实现高端驱动电路的自锁功能所花费的成本较高。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型实施例提供一种自锁高端驱动电路，以解决自锁高端驱动电路工作电压范围小和成本较高的问题。

本实用新型实施例提供了一种自锁高端驱动电路，所述自锁高端驱动电路包括电源、控制电路和功率开关，

其中，所述电源的负极与地连接，所述电源的正极与所述功率开关连接；

所述控制电路包括自锁电路和逻辑电路，所述自锁电路与所述逻辑电路连接，所述逻辑电路与所述功率开关连接，其中，所述自锁电路包括第一输入端和第二输入端，所述第一输入端用于接收输入的控制所述功率开关打开的控制信号，所述第二输入端用于接收输入的控制所述功率开关关闭的控制信号；

所述功率开关为三端开关器件，所述功率开关的第一端与所述电源的正极连接，所述功率开关的第二端与所述控制电路中的逻辑电路连接，所述功率开关的第三端用于在打开状态时输出高端驱动信号。

进一步地，所述自锁电路包括：第一NPN三极管、第二NPN三极管、第一PNP三极管、第二PNP三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻和第七电阻，

其中，所述第一NPN三极管的基极通过所述第一电阻与所述第一输入端连接，所述第一NPN三极管的发射极接地，所述第一NPN三极管的集电极通过第二电阻与所述第一PNP三极管的集电极连接，所述第一PNP三极管的基极通过所述第三电阻与所述第二输入端连接，所述第一PNP三极管的发射极与所述电源的正极连接，所述第二PNP三极管的基极通过所述第四电阻与所述第一PNP三极管的集电极和所述第二电阻的中点连接，所述第二PNP三极管的发射极与所述功率开关的发射极和所述电源正极的中点连接，所述第二PNP三极管的集电极与所述第五电阻的一端连接，所述第五电阻的另一端与所述第二NPN三极管的基极连接，所述第二NPN三极管的发射极接地，所述第二NPN三极管的集电极通过所述第六电阻与所述第一PNP三极管的集电极和所述第二电阻的中点连接，所述第七电阻并联连接在所述第二NPN三极管的基极和发射极之间，所述第八电阻并联连接在所述第一PNP三极管的基极和发射极之间。

进一步地，所述自锁电路还包括第九电阻，所述第九电阻并联连接在所述第一PNP三极管的基极与发射极之间。

进一步地，所述自锁电路还包括第十电阻，所述第十电阻并联连接在所述第二PNP三极管的基极与发射极之间。

进一步地，所述自锁电路还包括滤波电容，所述滤波电容的一端与所述第二PNP三极管的集电极与所述第五电阻的中点连接，所述滤波电容的另一端与地连接。

进一步地，所述逻辑电路包括第三NPN三极管、第十一电阻和第十二电阻，

其中，所述第三NPN三极管的基极通过所述第十一电阻与所述自锁电路中第二PNP三极管的集电极和第五电阻的中点连接，所述第三NPN三极管的发射极接地，所述第三NPN三极管的集电极通过所述第十二电阻与所述功率开关的第二端连接。

进一步地，所述功率开关为PNP三极管，所述功率开关的第一端为所述PNP三极管的发射极，所述功率开关的第二端为所述PNP三极管的基极，所述功率开关的第三端为所述PNP三极管的集电极。

进一步地，所述控制电路包括自锁电路和逻辑电路，所述自锁电路与所述逻辑电路连接，所述逻辑电路与所述功率开关连接，其中，所述自锁电路包括第一输入端和第二输入端，所述第一输入端用于接收输入的控制所述功率开关打开的控制信号，所述第二输入端用于接收输入的控制所述功率开关关闭的控制信号，具体为：

当所述第一输入端接收输入的高电平或低电平信号，并且所述第二输入端接收输入的高电平信号或处于悬空状态时，所述功率开关打开；

当所述第一输入端接收输入的高电平或低电平信号，并且所述第二输入端接收输入的低电平时，所述功率开关关闭。