[实用新型]一种晶体硅片承载篮有效
申请号: | 201420132544.9 | 申请日: | 2014-03-24 |
公开(公告)号: | CN203787399U | 公开(公告)日: | 2014-08-20 |
发明(设计)人: | 周军;姜小松;孟祥熙 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬;张海英 |
地址: | 215011 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶体 硅片 承载 | ||
1.一种晶体硅片承载篮,包括内部呈中空结构的承载篮本体(1),所述承载篮本体(1)具有一组相对设置的用于起支撑作用的立板,所述立板呈镂空结构,其特征在于:所述两立板之间有一组相对设置的用于插放晶体硅片的支撑架,所述支撑架的中部设置为镂空结构;
所述支撑架的中部设置有起辅助支撑晶体硅片作用的加强筋(4)。
2.根据权利要求1所述的晶体硅片承载篮,其特征在于:所述加强筋(4)上设置有卡齿;
相邻的两个卡齿形成一个用于放置晶体硅片的卡槽。
3.根据权利要求2所述的晶体硅片承载篮,其特征在于:所述支撑架包括位于所述承载篮本体(1)底部的底部支撑架(2)和位于承载篮本体(1)顶部的顶部支撑架(3);
所述底部支撑架(2)和所述顶部支撑架(3)分别与所述加强筋(4)相平行;
所述加强筋(4)位于所述底部支撑架(2)和顶部支撑架(3)之间。
4.根据权利要求3所述的晶体硅片承载篮,其特征在于:所述底部支撑架(2)和所述顶部支撑架(3)上均设置有定位卡齿;
相邻的两个所述定位卡齿形成一个定位卡槽。
5.根据权利要求4所述的晶体硅片承载篮,其特征在于:所述定位卡齿的数量和位置与所述卡齿一一对应;
所述定位卡槽的宽度与所述卡槽的宽度相同。
6.根据权利要求3所述的晶体硅片承载篮,其特征在于:所述加强筋(4)的高度为10mm±5mm。
7.根据权利要求6所述的晶体硅片承载篮,其特征在于:所述加强筋(4)的数量为2个;
两个所述加强筋(4)之间的距离为25mm±3mm。
8.根据权利要求7所述的晶体硅片承载篮,其特征在于:与所述顶部支撑架(3)相邻的加强筋(4)距离所述顶部支撑架(3)30mm±5mm。
9.根据权利要求1-8任一项所述的晶体硅片承载篮,其特征在于:所述加强筋(4)由PVDF材料、PPR材料、碳化硅材料或聚四氟乙烯材料制成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州阿特斯阳光电力科技有限公司,未经苏州阿特斯阳光电力科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420132544.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:膜分离方法及膜分离装置
- 下一篇:跌落式熔断器操作防坠组合工具
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造