[实用新型]一种高效率软开关充电电路有效

专利信息
申请号: 201420134673.1 申请日: 2014-03-22
公开(公告)号: CN203761104U 公开(公告)日: 2014-08-06
发明(设计)人: 尹相柱 申请(专利权)人: 深圳市德兰明海科技有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00;H02M3/335;H02M1/44
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道石龙社*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 高效率 开关 充电 电路
【权利要求书】:

1.一种高效率软开关充电电路,它包括直流高压输入端,其特征在于:所述直流高压输入端上连接着一谐振半桥电路,该谐振半桥电路的输出端连接有一高频隔离变压器,所述高频隔离变压器上的输出绕组上连接着一整流输出电路;该高效率软开关充电电路还包括一电压与电流采样电路,所述电压与电流采样电路的输出端连接至一数字信号处理器上,数字信号处理器的引脚上连接着一隔离驱动电路,该隔离驱动电路电性连接至上述的谐振半桥电路上。

2.根据权利要求1所述的一种高效率软开关充电电路,其特征在于:所述直流高压输入端的输入电压为400V直流电。

3.根据权利要求1或2所述的一种高效率软开关充电电路,其特征在于:所述直流高压输入端连接有一辅助电源,该辅助电源连接至上述的数字信号处理器上。

4.根据权利要求1所述的一种高效率软开关充电电路,其特征在于:所述数字信号处理器为芯片U6,该芯片U6为DSPIC33FJ32GS606。

5.根据权利要求1所述的一种高效率软开关充电电路,其特征在于:所述谐振半桥电路由功率MOSFET Q24、功率MOSFETQ25、电容C88、谐振电感L6以及周边电路构成, 所述MOSFET Q24、功率MOSFETQ25、电容C88、谐振电感L6与高频隔离变压器T2组成谐振回路,实现零电压导通。

6.根据权利要求1所述的一种高效率软开关充电电路,其特征在于:所述整流输出电路由三极管D1、三极管D2、电容C1以及电容C2组成。

7.根据权利要求1所述的一种高效率软开关充电电路,其特征在于:所述隔离驱动电路主要由芯片U7、芯片U8构成,所述芯片U7、芯片U8均为芯片FOD3120SD。

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