[实用新型]一种电源自适应的电荷泵装置

权利要求书

1.一种电源自适应的电荷泵装置，包含：第一模拟开关、第二模拟开关、第三模拟开关、第四模拟开关及其驱动电路；其特征在于，

所述第三模拟开关的驱动电路包含：第一反相器、第二反相器、第一缓冲电路、第一电平转换电路、第一P沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体PMOS管和第一N沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体NMOS管；

所述第一反相器的输入端为所述第三模拟开关的驱动电路输入端，所述第一反相器的输出端分别与所述第一缓冲电路的输入端和所述第一电平转换电路的输入端相连；

所述第一缓冲电路的输出端与所述第一PMOS管的栅极相连；

所述第一电平转换电路的输出端与所述第二反相器的输入端相连，所述第二反相器的输出端与所述第一NMOS管的栅极相连；

所述第一电平转换电路的电源端与所述第二反相器的电源端分别连接内部低压电源VOUT；

所述第一PMOS管的漏极与所述第一NMOS管的漏极相连作为所述第三模拟开关的驱动电路输出端。

2.根据权利要求1所述的电源自适应的电荷泵装置，其特征在于，所述第四模拟开关的驱动电路中包含：第三反相器、第二电平转换电路、电源选择电路和第二缓冲电路；

所述第三反相器的输入端为所述第四模拟开关的驱动电路输入端，所述第三反相器的输出端与所述第二电平转换电路的输入端相连，所述第二电平转换电路的输出端与所述第二缓冲电路的输入端相连，所述第二电平转换电路的电源端与所述VOUT相连；

所述电源选择电路包含：第二PMOS管和第二NMOS管；所述第二PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的栅极分别与上电复位POR电路相连，所述第二PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的漏极分别与所述第二缓冲电路的电源端相连，所述第二PMOS管的源极与所述VOUT相连，所述第二NMOS管的源极与0V相连；

其中，所述POR电路根据电源电压的高低，连通所述第二PMOS管或所述第二NMOS管；

所述第二缓冲电路的输出端为所述第四模拟开关的驱动电路输出端。

3.根据权利要求2所述的电源自适应的电荷泵装置，其特征在于，所述第二缓冲电路中包含四个反相器，各反相器串联连接。

4.根据权利要求2所述的电源自适应的电荷泵装置，其特征在于，所述第二电平转换电路的电源端接所述第二电平转换电路中PMOS管的源极。

5.根据权利要求1所述的电源自适应的电荷泵装置，其特征在于，所述VOUT的产生电路中包含POR电路、第三PMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、电阻和电容；

所述POR电路与所述第三PMOS管的栅极相连，所述第三PMOS管的源极分别与所述第四NMOS管的漏极、所述第三NMOS管的源极和其漏极相连，所述第三NMOS管的源极分别与所述第五NMOS管的漏极和其栅极相连，所述第五NMOS管的源极分别与所述第六NMOS管的漏极和其栅极相连；

所述第六NMOS管的源极与所述电阻的一端及所述电容的一端分别相连；

所述第三PMOS管的漏极、所述第四NMOS管的源极、所述电阻的另一端与所述电容的另一端分别相连作为所述VOUT的产生电路的输出端；

其中，所述POR电路根据对电源电压VDD的高低判断闭合或断开所述第三PMOS管。

6.根据权利要求1至5中任意一项所述的电源自适应的电荷泵装置，其特征在于，所述第二反相器、所述第一电平转换电路、所述第一PMOS管和所述第一NMOS管均由低栅压型高压MOS管构成。