[实用新型]一种低电感电容器

说明书

技术领域

    本实用新型涉及电容器技术领域，尤其涉及一种低电感电容器。

背景技术

电容器是一种常用的电子产品，同时电容器也有很多的分类，有高载流的、滤波的、防爆的等等，这些不同功能的电容均可满足了一定的要求，电子产品中常用到一种IGBT高精密半导体元器件，其既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，但是这种元器件常受到尖峰电压的损害，而普通电容器因为电感高使得对该元器件保护效果不佳。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种低电感电容器，它采用左右电极焊片，焊片间距等同于IGBT的孔距，产品直接固定在IGBT上，几乎无连接电感，对IGBT的尖峰保护效果好。

为了解决背景技术中所存在的问题，本实用新型是采用以下技术方案：它包括外壳、电极焊片，所述的外壳上方设置有两个电极焊片，电极焊片与外壳内的电极相连，所述电极焊片上开有一个长椭圆形孔，所述电极焊片间的间距等于IGBT的连接孔的孔距。

本实用新型它采用左右电极焊片，焊片间距等同于IGBT的孔距，产品直接固定在IGBT上，几乎无连接电感，对IGBT的尖峰保护效果好。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图；

图2为图1的左视图。

具体实施方式

参见图1-2，一种低电感电容器，它包括外壳1、电极焊片2，所述的外壳1上方设置有两个电极焊片2，电极焊片2与外壳1内的电极相连，所述电极焊片2上开有一个长椭圆形孔3，所述电极焊2片间的间距等于IGBT的连接孔的孔距，安装时将电极焊片上的长椭圆形孔对准IGBT的连接孔，然后固定住，这样电容器直接固定在IGBT上，几乎无连接电感，从而具有良好的尖峰吸收效果，保护效果更佳。