[实用新型]一种采用倒装LED芯片的LED光源

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种LED光源，特别是一种采用倒装LED芯片的LED光源。

背景技术

随着LED市场爆发的日益临近，LED封装技术的研发竞争也十分激烈。目前GaN基LED封装主要为正装结构，当前较为成熟的是III族氮化物氮化镓用蓝宝石材料作为衬底，由于蓝宝石衬底的绝缘性，所以普通的GaN 基LED 采用正装结构。正装结构有源区发出的光经由P 型GaN区和透明电极出射。该结构简单，制作工艺相对成熟。然而正装结构LED有两个明显的缺点，首先正装结构LED p、n 电极在LED 的同一侧，电流须横向流过n-GaN 层，导致电流拥挤，局部发热量高，限制了驱动电流；其次，由于蓝宝石衬底的导热性差，严重的阻碍了热量的散失，导致LED光源导热速度慢，且发光效率不理想，影响产品寿命。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本实用新型提供一种采用倒装LED芯片的LED光源。

本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种采用倒装LED芯片的LED光源，包括导热基板、及若干焊接至导热基板上的LED芯片，所述LED芯片为一倒装结构，其包括衬底、设置在衬底下方的n-GaN层、设置在n-GaN层下方一侧的p-GaN层、设置在n-GaN层下方另一侧的n电极、设置在p-GaN层下方的p电极及基片，所述基片上设置有正极触点和负极触点，所述p电极和n电极分别通过导电凸点连接至正极触点和负极触点，且所述衬底、n-GaN层、p-GaN层、n电极、p电极由封装胶体封装。

所述封装胶体上方设置有荧光粉层。

所述荧光粉层通过喷涂设置在封装胶体上方。

所述基片上方设置有反光层。

所述反光层为镀银反光层。

所述衬底为蓝宝石衬底。

本实用新型的有益效果是：一种采用倒装LED芯片的LED光源，包括导热基板、及若干焊接至导热基板上的LED芯片，所述LED芯片为一倒装结构，其包括衬底、设置在衬底下方的n-GaN层、设置在n-GaN层下方一侧的p-GaN层、设置在n-GaN层下方另一侧的n电极、设置在p-GaN层下方的p电极及基片，所述基片上设置有正极触点和负极触点，所述p电极和n电极分别通过导电凸点连接至正极触点和负极触点，且所述衬底、n-GaN层、p-GaN层、n电极、p电极由封装胶体封装，LED芯片焊接至导热基板上时，直接通过锡膏焊接即可，大大缩短了光源的传热距离，提升了产品的散热性能，提升产品质量、寿命，且由于采用衬底、n-GaN层、p-GaN层、n电极、p电极倒装芯片结构做光源，无需通过引线焊接导电，LED出光不用受n电极、p电极及电极引线的遮挡，大大提高了LED产品的光效。  

附图说明

下面结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。

图1是本实用新型LED芯片的结构示意图。

具体实施方式

参照图1，图1是本实用新型一个具体实施例的倒装LED芯片的结构示意图，如图所示，一种采用倒装LED芯片的LED光源，包括导热基板、及若干焊接至导热基板上的LED芯片，所述LED芯片为一倒装结构，其包括蓝宝石衬底1、设置在衬底1下方的n-GaN层2、设置在n-GaN层2下方一侧的p-GaN层3、设置在n-GaN层2下方另一侧的n电极4、设置在p-GaN层3下方的p电极5及基片6，所述基片6上设置有正极触点61和负极触点62，所述p电极5和n电极4分别通过导电凸点7连接至正极触点61和负极触点62，且所述衬底1、n-GaN层2、p-GaN层3、n电极4、p电极5由封装胶体8封装，并在封装胶体8上方通过喷涂设置荧光粉层81，在所述基片6上方设置有镀银反光层63。

LED芯片通电时，电流由p电极5输入依次经过p-GaN层3、n-GaN层2再由n电极4输出，在p-GaN层3、n-GaN层2形成P/N结发光区，光线由P/N结发光区发出，其中向上的光线直接经过蓝宝石衬底1、封装胶体8再由荧光粉层81显色后发出，由于LED芯片无需通过引线/金线对n电极4、p电极5焊接导电，并且n电极4、p电极5设置在P/N结下方，使得LED出光不用受n电极、p电极及电极引线的遮挡，大大提高了LED产品的光效，而由P/N结发光区发出的光线由镀银反光层63反射后向上发出，进一步提高LED的光效，减少光线的遮挡损耗。

而LED芯片焊接至导热基板上时，直接通过锡膏将基片6上的正极触点61和负极触点62焊接至导热基板的电路正负极上即可，大大缩短了光源的传热距离，提升了产品的散热性能，提升产品质量、寿命，

以上对本实用新型的较佳实施进行了具体说明，当然，本实用新型还可以采用与上述实施方式不同的形式，熟悉本领域的技术人员在不违背本发明精神的前提下所作的等同的变换或相应的改动，都应该属于本实用新型的保护范围内。