[实用新型]大电流半导体器件结构有效
| 申请号： | 201420143532.6 | 申请日： | 2014-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN203760459U | 公开（公告）日： | 2014-08-06 |
| 发明（设计）人： | 江炳煌 | 申请（专利权）人： | 福建福顺半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350001 福建省*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电流 半导体器件 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种大电流半导体器件结构，包括一封装外壳，其特征在于：所述封装外壳内设有一承载片，所述承载片包括承载位和承载引脚，所述承载位通过下层锡膏与芯片的下层铝垫紧密接触，所述芯片的上层铝垫通过上层锡膏与一接触导电片的触片紧密接触，所述接触导电片还设有接触导电引脚。
2.根据权利要求1所述的大电流半导体器件结构，其特征在于：所述承载引脚为2个。
3.根据权利要求1所述的大电流半导体器件结构，其特征在于：所述接触导电引脚位为2个。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福建福顺半导体制造有限公司，未经福建福顺半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420143532.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
