[实用新型]通孔连线的测试结构

说明书

技术领域

本实用新型涉及半导体制造领域，尤其涉及一种通孔连线的测试结构。

背景技术

半导体器件后段工艺通常是制作用于连接器件的金属连线层，金属连线层包括多层，每一层均设有金属线，层与层之间采用通孔连线相连，堆叠成多层结构，便于后续连出不同器件从而构成具有一定性能的芯片。

然而，随着半导体特征尺寸的持续缩小，金属连线层也随之减小，通孔连线也随之减小。传统制造通孔连线的工艺存在一定的工艺波动，随着通孔连线之间的间距变小，工艺波动很有可能会造成通孔连线的头部桥连（Via bridge），从而导致通孔连线出现短路，进而使半导体器件的整体性能降低。

然而，现有技术中只能在形成后的顶层金属连线进行扫瞄式电子显微镜（scanning electron microscope，SEM）时才能随机的检测到，但此时需要2～4个星期之后，检测周期较长，不利于生产。因此，十分需要一种能及时检测出通孔连线是否存在短路的结构。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种通孔连线的测试结构，能够及时检测出通孔连线之间是否存在桥连。

为了实现上述目的，本实用新型提出了一种通孔连线的测试结构，所述结构包括多组基本单元，所述基本单元包括第一金属连线、第二金属连线以及形成于第一金属连线和第二金属连线之上的多个通孔连线，其中，第一金属连线和第二金属连线间隔排列，位于第一金属连线和第二金属连线上的通孔连线之间保持预定间距。

进一步的，所述基本单元分为多个单通孔连线区和双通孔连线区，所述单通孔连线区和多通孔连线区相邻排列。

进一步的，所述第一金属连线连接一第一测试盘。

进一步的，所述第二金属连线连接一第二测试盘。

进一步的，所述通孔连线的测试结构包括多组基本单元，其中一部分为横向基本单元，另一部分为纵向基本单元。

进一步的，所述横向基本单元中的通孔连线的特征尺寸大小范围为CD+/-3σ，其中，CD为通孔连线实际生产要求的特征尺寸大小，σ为实际生产中所有通孔连线特征尺寸大小的均方差。

进一步的，所述横向基本单元中包括一基准基本单元，所述基准基本单元中的通孔连线的特征尺寸为通孔连线实际生产要求的特征尺寸大小。

进一步的，所述纵向基本单元中的通孔连线的特征尺寸大小范围为CD+/-3σ，其中，CD为通孔连线实际生产要求的特征尺寸大小，σ为实际生产中所有通孔连线特征尺寸大小的均方差。

进一步的，所述纵向基本单元中包括一基准基本单元，所述基准基本单元中的通孔连线的特征尺寸为通孔连线实际生产要求的特征尺寸大小。

与现有技术相比，本实用新型有益效果主要体现在：在基本单元内的第一金属连线和第二金属连线上形成多个具有间距的通孔连线，从而能够通过检测第一金属和第二金属之间是否存在漏电来判断通孔连线之间是否存在桥连，能够在每一层都设置该种结构，从而实现当层即可检测出，耗时时间少，有利于提高生产效率。

附图说明

图1为本实用新型一实施例中基本单元的结构示意图；

图2为本实用新型一实施例中通孔连线的测试结构示意图。

具体实施方式

下面将结合示意图对本实用新型的通孔连线的测试结构进行更详细的描述，其中表示了本实用新型的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本实用新型，而仍然实现本实用新型的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本实用新型的限制。

为了清楚，不描述实际实施例的全部特征。在下列描述中，不详细描述公知的功能和结构，因为它们会使本实用新型由于不必要的细节而混乱。应当认为在任何实际实施例的开发中，必须做出大量实施细节以实现开发者的特定目标，例如按照有关系统或有关商业的限制，由一个实施例改变为另一个实施例。另外，应当认为这种开发工作可能是复杂和耗费时间的，但是对于本领域技术人员来说仅仅是常规工作。

在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本实用新型。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。