[实用新型]级联的电池保护电路及系统有效
申请号: | 201420148002.0 | 申请日: | 2014-03-28 |
公开(公告)号: | CN203800571U | 公开(公告)日: | 2014-08-27 |
发明(设计)人: | 张勇;王钊;尹航;张汉儒 | 申请(专利权)人: | 无锡中星微电子有限公司 |
主分类号: | H02H7/18 | 分类号: | H02H7/18 |
代理公司: | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人: | 戴薇 |
地址: | 214028 江苏省无锡市新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 级联 电池 保护 电路 系统 | ||
1.一种电池保护电路,用于对多个依次串联的电芯单元进行保护,其特征在于,其包括多个电芯保护单元,
每个电芯保护单元连接在对应的电芯单元的正负极之间,
每个电芯保护单元包括放电保护输出端、放电保护输入端、电流检测端和负压检测端,除最上级电芯保护单元外的每个电芯保护单元的放电保护输入端与其相邻的上级电芯保护单元的放电保护输出端相连,最上级电芯保护单元的放电保护输入端连接表示正常的放电过压保护信号,除最上级电芯保护单元外的每个电芯保护单元的负压检测端与其相邻的上级电芯保护单元的电流检测端相连,
每个电芯保护单元对对应的电芯单元进行放电检测以得到表示是否异常的当前放电过压保护信号,除最上级电芯保护单元外的每个电芯保护单元还会通过其放电保护输入端接收其相邻的上级电芯保护单元的放电保护输出端输出的表示是否异常的上级放电过压保护信号,除最下级电芯保护单元外的每个电芯保护单元还通过其电流检测端接收其相邻的下级电芯保护单元的负压检测端输出的表示是否异常的下级放电过压保护信号,
除最上级电芯保护单元和最下级电芯保护单元外的每个电芯保护单元在当前放电过压保护信号为异常、上级放电过压保护信号为异常或下级放电过压保护信号为异常时进入放电过压保护状态,生成并通过其放电保护输出端输出表示异常的放电过压保护信号给下级电芯保护单元的放电保护输入端,生成并通过其负压检测端输出表示异常的放电过压保护信号给上级电芯保护单元的电流检测端,随后转入低功耗模式。
2.根据权利要求1所述的电池保护电路,其特征在于,最下级电芯保护单元的放电保护输出端与放电开关管的控制端相连,最下级电芯保护单元的电流检测端通过检测电阻与最下级电芯保护单元对应的电芯单元的负极相连,最下级电芯保护单元在当前放电过压保护信号为异常或上级放电过压保护信号为异常时进入放电过压保护状态,生成并通过其放电保护输出端输出表示异常的放电过压保护信号给所述放电开关管,所述放电开关管切断放电回路,同时生成并通过其负压检测端输出表示异常的放电过压保护信号给上级电芯保护单元的电流检测端,随后所述最下级电芯保护单元进入低功耗模式,
最上级电芯保护单元的负压检测端悬空或接预定电平,最上级电芯保护单 元在当前放电过压保护信号为异常或下级放电过压保护信号为异常时进入放电过压保护状态,生成并通过其放电保护输出端输出表示异常的放电过压保护信号给下级电芯保护单元的放电保护输入端,随后转入低功耗模式。
3.根据权利要求2所述的电池保护电路,其特征在于,其还包括:设置于相邻的两个电芯保护单元之间的上传电路、设置于下级电芯保护单元中的信号发送电路及设置于上级电芯保护单元中的信号接收电路,
在下级电芯保护单元进入放电过压保护状态时,该下级电芯保护单元的信号发送电路将所述负压检测端的电平拉高至其对应的电芯单元的最高电平,致使所述上传电路工作,以将该上级电芯保护单元的电流电测端的电压拉低至低于其对应的电芯单元的最低电压,
该上级电芯保护单元的信号接收电路在确定其电流检测端的电压低于其对应的电芯单元的最低电压时,认为接收到其相邻的下级电芯保护单元的负压检测端输出表示异常的下级放电过压保护信号。
4.根据权利要求3所述的电池保护电路,其特征在于,所述上传电路包括开关管和第一电阻,
上级电芯保护单元的电流检测端通过所述第一电阻连接至其对应的电芯单元的负极,上级电芯保护单元的电流检测端还连接至所述开关管的第一连接端,所述开关管的第二连接端连接一个节点,该节点的电压低于下级电芯保护单元对应的电芯单元的最高电压,所述开关管的控制端连接至下级电芯保护单元的负压检测端,
在下级电芯保护单元的信号发送电路将所述负压检测端的电平拉高至其对应的电芯单元的最高电平时,所述开关管导通,致使上级电芯保护单元的电流检测端的电压低于上级电芯保护单元对应的电芯单元的最低电压。
5.根据权利要求4所述的电池保护电路,其特征在于,所述开关管为NMOS晶体管,所述NMOS晶体管的漏极作为开关管的第一连接端,源极作为第二连接端,栅极作为开关管的控制端,下级电芯保护单元对应的电芯单元的最高电压与所述开关管的第二连接端连接的节点的电压的差值超过所述NMOS晶体管的导通阈值电压。
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