[实用新型]一种密封环结构

权利要求书

1.一种密封环结构，其特征在于，包括： 

绝缘层，所述绝缘层设置于半导体基底上； 

多个金属层，每一金属层设置于所述绝缘层中的不同层位； 

多组连接柱，每组连接柱包括若干个连接柱，每相邻两个金属层之间分布一组连接柱，每组连接柱中具有多个连接柱位于所述金属层的边缘。 

2.如权利要求1所述的密封环结构，其特征在于，所述连接柱位于所述金属层的边缘的位置为：0ViaCD≤d≤1ViaCD；其中，d为连接柱靠近金属层边缘的侧壁至金属层边缘侧壁的距离，0ViaCD为0个连接柱横向的长度，1ViaCD为1个连接柱横向的长度。 

3.如权利要求1所述的密封环结构，其特征在于，所述绝缘层由化学气相沉积技术形成。 

4.如权利要求1所述的密封环结构，其特征在于，所述半导体基底包括：芯片区、围绕芯片区的密封环区、以及围绕密封环区的切割区。 

5.如权利要求4所述的密封环结构，其特征在于，所述半导体基底的材质为硅、锗化硅或者砷化镓。 

6.如权利要求1-5任一项中所述的密封环结构，其特征在于，所述金属层为铜层。 

7.如权利要求1-5任一项中所述的密封环结构，其特征在于，所述连接柱为铜柱。