[实用新型]一种GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器及环振

权利要求书

1.一种GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器，其特征在于：该反相器包括依次设置于衬底上的成核层、缓冲层、插入层、势垒层以及帽层，帽层、势垒层、插入层以及部分缓冲层经刻蚀形成台面，台面将反相器隔离为两个器件区域，其中一个器件区域的异质结上设置有第一栅电极、第一源电极以及第一漏电极，第一源电极以及第一漏电极直接蒸发在帽层上，第一栅电极位于第一源电极与第一漏电极之间，第一源电极上、第一漏电极上、第一栅电极、第一源电极以及第一漏电极所在位置以外的帽层上及台面下的缓冲层上设置有表面SiN层，表面SiN层上及第一栅电极处的帽层上设置有栅介质Al₂O₃层，第一栅电极蒸发在栅介质Al₂O₃层上，另一个器件区域的异质结上设置有第二栅电极、第二源电极以及第二漏电极，第二源电极以及第二漏电极直接蒸发在帽层上，第二栅电极位于第二源电极与第二漏电极之间，第二源电极上、第二漏电极上、第二源电极以及第二漏电极所在位置以外的帽层上及台面下的缓冲层上设置有表面SiN层，表面SiN层上设置有栅介质Al₂O₃层，第二栅电极蒸发在栅介质Al₂O₃层上，两个器件区域的栅电极及栅介质Al₂O₃层上设置有保护SiN层，保护SiN层上设置有互联金属，互联金属和下层各个电极对应相连。

2.根据权利要求1所述一种GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器，其特征在于：所述衬底的材料为蓝宝石或SiC，成核层的材料为AlN，缓冲层的材料为GaN，插入层的材料为AlN，势垒层的材料为Al_0.3Ga_0.7N，帽层的材料为GaN。

3.根据权利要求1所述一种GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器，其特征在于：所述势垒层的厚度为3-5nm。

4.根据权利要求1所述一种GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器，其特征在于：所述表面SiN层的厚度为2-4nm，表面SiN层采用接触反应化学汽相沉积工艺形成。

5.根据权利要求1所述一种GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器，其特征在于：所述栅介质Al₂O₃层厚度为3-5nm，栅介质Al₂O₃层采用原子层沉积工艺形成。

6.一种基于权利要求1所述GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器的环振，其特征在于：该环振由2n+1个所述反相器级连而成，n为自然数。

7.根据权利要求6所述一种基于GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器的环振，其特征在于：2n+1个反相器通过互联金属集成在同一圆片上。