[实用新型]晶圆级封装结构有效
申请号: | 201420155134.6 | 申请日: | 2014-04-01 |
公开(公告)号: | CN203967091U | 公开(公告)日: | 2014-11-26 |
发明(设计)人: | 王之奇;喻琼;王蔚 | 申请(专利权)人: | 苏州晶方半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华;应战 |
地址: | 215021 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆级 封装 结构 | ||
1.一种晶圆级封装结构,其特征在于,包括:
待封装晶圆,所述待封装晶圆包括若干芯片区域;
位于所述待封装晶圆芯片区域表面的焊垫和感光元件;
覆盖于所述焊垫表面的第一围堤结构;
与所述待封装晶圆表面相对设置的封装盖,且第一围堤结构顶部表面与封装盖表面相接触;
位于所述封装盖表面的第二围堤结构,封装盖与待封装晶圆通过所述第二围堤结构固定接合,所述第二围堤结构位于第一围堤结构和感光元件之间,且所述第二围堤结构位于感光元件的两侧。
2.根据权利要求1所述晶圆级封装结构,其特征在于,所述第二围堤结构包括第一子围堤结构和第二子围堤结构,其中,第一子围堤结构位于感光元件的一侧,第二子围堤结构位于感光元件的另一侧,且第一子围堤结构的宽度大于第二子围堤结构的宽度。
3.根据权利要求1所述晶圆级封装结构,其特征在于,还包括:位于待封装晶圆芯片区域表面的第三围堤结构,所述第三围堤结构的厚度值与第一围堤结构的厚度值相等,且所述第三围堤结构位于感光元件与第二围堤结构之间,所述第三围堤结构顶部表面与封装盖表面相接触。
4.根据权利要求1所述晶圆级封装结构,其特征在于,所述第二围堤结构顶部表面具有粘合剂层,且粘合剂层与第二围堤结构的厚度值之和与第一围堤结构的厚度值二者之间相等,所述第二围堤结构顶部表面与待封装晶圆表面通过粘合剂层固定接合。
5.根据权利要求1所述晶圆级封装结构,其特征在于,所述待封装晶圆包括位于芯片区域之间的切割道区域,且所述第一围堤结构覆盖于焊垫表面、切割道区域表面、以及焊垫与切割道区域之间的芯片区域表面。
6.根据权利要求1所述晶圆级封装结构,其特征在于,所述第二围堤结构、第三围堤结构、以及封装盖为一体结构。
7.根据权利要求2所述晶圆级封装结构,其特征在于,所述封装盖内具有开口,且所述开口暴露出感光元件一侧的第二围堤结构顶部表面。
8.根据权利要求7所述晶圆级封装结构,其特征在于,所述开口位于第一子围堤结构顶部,且暴露出第一子围堤结构的顶部表面。
9.根据权利要求8所述晶圆级封装结构,其特征在于,所述开口的宽度大于或等于第一子围堤结构的宽度,且所述第一子围堤结构的厚度值小于第二子围堤结构的厚度值。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的