[实用新型]OLED显示器件及显示装置有效
申请号: | 201420155336.0 | 申请日: | 2014-04-01 |
公开(公告)号: | CN203787433U | 公开(公告)日: | 2014-08-20 |
发明(设计)人: | 王辉锋 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李迪 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | oled 显示 器件 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,特别涉及一种OLED显示器件及显示装置。
背景技术
有机电致发光器件(OLED)相对于LCD具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩鲜艳及轻薄等优点,被认为是下一代显示技术。
OLED材料的成膜方式主要包括蒸镀制程和溶液制程。蒸镀制程在小尺寸应用较为成熟,目前该技术已经应用于量产中,而溶液制程OLED材料成膜方式主要有喷墨打印、喷嘴涂覆、旋涂及丝网印刷等。其中喷墨打印技术由于其材料利用率较高、可以实现大尺寸化,被认为是大尺寸OLED实现量产的重要方式。
喷墨打印工艺需要预先在基板的电极上制作像素界定层(PDL),以限定有机发光材料的墨滴精确的流入指定的R/G/B亚像素区。
PDL结构截面形状有正梯形(图1所示)和倒梯形(图2所示)两种:
图1中的正梯形结构应用较为广泛,平坦层110上为第一电极120的阵列,第一电极120之间为PDL130。由于有机发光材料140墨滴与正梯形的PDL130接触处由于两者间表面能差异,以及有机发光材料140自身干燥行为,干燥后容易形成边缘高,中间薄的不均匀薄膜,如图1在虚线框所示,也即咖啡环效应。若要避免咖啡环效应,不仅需要性能优良的PDL材料以及精细调节墨水的溶剂组成,而且需要精确控制墨滴干燥的温度、压强、氛围等成膜条件,这增加了显示器件的成本,也加大了研发的难度。
为了解决咖啡环问题,图2示出了另一种结构,平坦层210上为第一电极220的阵列,第一电极220之间为PDL230。其中,PDL230为倒梯形结构,由于该倒梯形的PDL230其与电极间夹角小于90°,存在毛细结构,有机发光材料240墨滴在边缘毛细结构的作用力下,铺展较为均匀,这大大降低了成膜工艺开发的难度。但是另一方面,在沉积阴极250的时候,倒梯形PDL230结构容易导致阴极的断层,从而导致阴极像素断路缺陷,特别是当阴极250的厚度不足以铺平PDL230之间的凹坑时。为了防止阴极断层的发生,往往需要蒸镀数十倍厚度的阴极250以铺平凹坑,这显著增加了器件制作的时间和成本并使得器件透过率降低。
实用新型内容
(一)要解决的技术问题
本实用新型要解决的技术问题是:如何实现工艺简单、成本相对较低,且成膜平整的OLED显示器件。
(二)技术方案
本实用新型提供了一种OLED显示器件,包括第一电极阵列、像素界定层、有机发光层及第二电极,像素界定层位于第一电极之间,第一电极阵列之上依次为有机发光层及第二电极,所述像素界定层截面的宽度呈中部宽,上下部的宽度依次减小的趋势。
其中,所述有机发光层的厚度不低于所述像素界定层中部最宽处的高度。
其中,所述像素界定层的厚度为0.1um~100um。
其中,所述像素界定层的厚度为1um~5um。
其中,所述像素界定层的材料包括:树脂、聚酰亚胺、有机硅或SiO2。
其中,所述像素界定层的中部最宽处分别到上下部的面为平面、弧面或呈阶梯型。
其中,所述像素界定层的截面为六边形或椭圆形。
本实用新型还提供了一种显示装置,包括上述任一项所述的OLED显示器件。
(三)有益效果
本实用新型的OLED显示器件的像素界定层截面的宽度呈中部宽,上下部的宽度依次减小的趋势。即像素界定层下部与第一电极(阳极)具有小于90°的夹角,具备了毛细结构,喷墨打印时有机发光材料墨滴时,在毛细结构的吸引下铺展更加均匀;同时即便边缘存在不平整的咖啡环效应,在发光的时候也会被中部突出的结构遮挡,有效发光区域亮度仍然会比较均匀,从而有效提高了显示品质;另一方面,像素界定层上部较窄,形成一定的坡脚,可以使有机发光层的厚度刚好到达像素界定层中部最宽处,这样蒸镀阴极时避免了倒梯形结构存在第二电极(阴极)断层的缺陷;而且阴极可以做薄,增大透过率,降低阴极材料成本。
附图说明
图1是现有技术的一种OLED显示器件结构示意图;
图2是现有技术的另一种OLED显示器件结构示意图;
图3是本实用新型实施例的一种OLED显示器件制作方法流程图;
图4a是本实用新型实施例的一种OLED显示器件制作方法中在平坦层上形成第一电极阵列的结构示意图;
图4b是在图4a的基础上形成一层光刻胶后的结构示意图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的