[实用新型]一种高频射频同轴连接器

说明书

技术领域

本实用新型涉及电连接器技术领域，介质体具有大空间占比结构的连接器，尤其是一种高频射频同轴连接器。

背景技术

在高频射频同轴连接器的技术方案中，为了降低介质体的介电常数，需增大介质体的占空比，现有技术多采用将介质体“掏空”的方式制作空间占比大的介质体，制作过程中，应用介质体和内导体相嵌的注塑成型工艺，使内导体和介质体注为一体，这种方法对内导体与介质体的相对位置尺寸要求较高，当一个内导体与两个介质体同时成型时，不仅对位置尺寸要求更高，而且对内导体的加工精度要求也很高。存在的问题是，对内导体的加工工艺和介质体的注塑成型工艺都提出了高要求，导致生产出来的产品合格率低，且内导体与介质体之间不可拆卸。 

实用新型内容

本实用新型的目的是针对现有技术的不足而提供的一种高频射频同轴连接器，本实用新型采用由多块介质块围合成花瓣状的介质体结构，可满足同轴连接器传输毫米波特性的要求，具有空间占比大，机械性能和电性能良好的优点。 

实现本实用新型目的的具体技术方案是：

一种高频射频同轴连接器，其特点包括内导体、介质体、第一外导体、第二外导体及第三外导体，所述内导体为轴类件，其上径向设有凹槽，介质体由多块介质块围合成花瓣状，其介质块上设有插接片、内圆弧及外圆弧，第一外导体呈台阶筒状，其筒壁的径向均布设有多个插口，轴向设有限位台阶，第二外导体呈圆柱筒状，第三外导体为内孔设有第二限位台阶的圆柱筒状；所述介质体的内圆弧指向圆心经插接片依次插接在第一外导体的多个插口中，内导体设于介质体内且凹槽与内圆弧触及，第二外导体套装在第一外导体多个插口与介质体外圆弧的外侧，且一端面与限位台阶触及，第三外导体套装在第一外导体及第二外导体的外侧，且第二限位台阶与第二外导体的另一端面触及。

本实用新型采用由多块介质块围合成花瓣状的介质体结构，使介质体在高频同轴连接器中占据较大的占空比，以降低介质体的介电常数，可满足同轴连接器传输毫米波特性的要求，从而实现良好机械性能和电性能的高频射频同轴连接器。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为介质体的结构示意图；

图3为第一外导体的结构示意图；

图4为内导体、介质体及第一外导体的结构示意图；

图5为内导体、介质体及第一、第二外导体的结构示意图。

具体实施方式

参阅图1～图5，本实用新型包括内导体1、介质体2、第一外导体3、第二外导体4及第三外导体5，所述内导体1为轴类件，其上径向设有凹槽11，介质体2由多块介质块围合成花瓣状，其介质块上设有插接片21、内圆弧22及外圆弧23，第一外导体3呈台阶筒状，其筒壁的径向均布设有多个插口31，轴向设有限位台阶32，第二外导体4呈圆柱筒状，第三外导体5为内孔设有第二限位台阶51的圆柱筒状；所述介质体2的内圆弧22指向圆心经插接片21依次插接在第一外导体3的多个插口31中，内导体1设于介质体2内且凹槽11与内圆弧22触及，第二外导体4套装在第一外导体3多个插口31与介质体2外圆弧23的外侧，且一端面与限位台阶32触及，第三外导体5套装在第一外导体3及第二外导体4的外侧，且第二限位台阶51与第二外导体4的另一端面触及。

本实用新型是这样装配的：

以介质体2由四块介质块围合成花瓣状，第一外导体3筒壁的径向均布设有四个插口31为例：

参阅图1～图4，首先，将四块介质体2的内圆弧22指向圆心，并经插接片21依次初步插接在第一外导体3的四个插口31中；将内导体1置于介质体2内，且使内导体1的凹槽11与介质体2的内圆弧22触及；将内导体1连同介质体2进一步推向第一外导体3的四个插口31内，使介质体2与第一外导体3的限位台阶32触及；

参阅图1、图5，将第二外导体4套装在第一外导体3四个插口31与介质体2外圆弧23的外侧，且使第二外导体4的一端面与第一外导体3的限位台阶32触及；最后，将第三外导体5套装在第一外导体3及第二外导体4的外侧，且使第三外导体5的第二限位台阶51与第二外导体4的另一端面触及；这样，内导体1、介质体2、第一外导体3、第二外导体4及第三外导体5就被装配为一体，本实用新型装配完成。

本实用新型是这样工作的：

本实用新型的介质体2由四块介质块围合成花瓣状，通过增大介质块上从内圆弧22到外圆弧23的距离，可有效改变内导体1与第一外导体3之间的空间，使介质体2在高频同轴连接器中占据较大的占空比，以降低介质体的介电常数，满足同轴连接器传输毫米波特性的要求，获得良好机械性能和电性能的高频射频同轴连接器。