[实用新型]类钻石薄膜连续型镀膜装置

权利要求书

1.一种类钻石薄膜连续型镀膜装置，其特征在于，包括依次设置的呈真空状态的进架室、DLC镀膜室以及出架室，还包括贯穿所述进架室、所述DLC镀膜室以及出架室的轨道，所述轨道上设置用于装夹待镀膜基材的可在所述轨道上匀速移动的基材架，所述DLC镀膜室为可同时实现PVD磁控溅射和CVD气相沉积的复合镀膜腔室，所述DLC镀膜室内设置用于镀制DLC膜的第一工作靶。 

2.根据权利要求1所述的类钻石薄膜连续型镀膜装置，其特征在于，所述进架室与所述DLC镀膜室之间设置工艺室，所述工艺室为磁控溅射工艺室，所述工艺室内设置有对所述待镀膜基材表面镀制过渡层的第二工作靶。 

3.根据权利要求2所述的类钻石薄膜连续型镀膜装置，其特征在于，所述工艺室与所述DLC镀膜室之间设置气氛隔离室，所述气氛隔离室为可对所述工艺室和所述DLC镀膜室之间的气氛进行隔离的狭缝及分子泵软隔离腔室。 

4.根据权利要求3所述的类钻石薄膜连续型镀膜装置，其特征在于，所述第一工作靶为硅靶或石墨靶。 

5.根据权利要求4所述的类钻石薄膜连续型镀膜装置，其特征在于，所述DLC镀膜室包括第一腔体，所述第一腔体内设置有镀膜用工作气体，所述第一工作靶通过绝缘体固定在所述第一腔体内并位于所述待镀膜基材的一侧。 

6.根据权利要求5所述的类钻石薄膜连续型镀膜装置，其特征在于，所述第一腔体外设置冷却水管，所述冷却水管的出水端延伸至所述绝缘体内并位于所述第一工作靶的一侧，用于对所述第一工作靶进行冷却。 

7.根据权利要求3至6任一项所述的类钻石薄膜连续型镀膜装置，其特征在于，所述进架室与所述工艺室之间设置第一真空过渡室，和/或，所述出架室与所述DLC镀膜室之间设置第二真空过渡室。 

8.根据权利要求7所述的类钻石薄膜连续型镀膜装置，其特征在于，所述 进架室、所述第一真空过渡室、所述工艺室、所述气氛隔离室、所述DLC镀膜室、所述第二真空过渡室以及所述出架室均与真空抽空系统连接，所述真空抽空系统包括第一真空抽空系统和第二真空抽空系统，所述进架室和所述出架室与所述第二真空抽空系统连接，所述第一真空过渡室、所述工艺室、所述气氛隔离室、所述DLC镀膜室以及所述第二真空过渡室与所述第一真空抽空系统连接。 

9.根据权利要求7所述的类钻石薄膜连续型镀膜装置，其特征在于，所述进架室与所述第一真空过渡室之间、所述第一真空过渡室与所述工艺室之间、所述DLC镀膜室与所述第二真空过渡室之间，所述第二真空过渡室与所述出架室之间、所述出架室与外界以及所述进架室与外界之间均设置有隔离阀。 

10.根据权利要求7所述的类钻石薄膜连续型镀膜装置，其特征在于，所述所述进架室、所述第一真空过渡室、所述工艺室、所述气氛隔离室、所述DLC镀膜室、所述第二真空过渡室以及所述出架室呈直线型或者U型布置。