[实用新型]LED发光装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种发光装置，且特别是涉及一种能以交流电力直接驱动发光的LED发光装置。

背景技术

近几年来，发光二极管（LED）的应用已逐渐广泛，且随着技术领域的不断提升，目前已研发出高照明辉度的高功率发光二极管，其足以取代传统的照明光源。

然而，常用LED发光装置的构造设计，在LED芯片外侧的区块会有吸收光线的事情发生，使得常用LED发光装置的整体光效难以进一步地被提升。

于是，本发明人有感上述缺陷的可改善，乃特潜心研究并配合学理的运用，终于提出一种设计合理且有效改善上述缺陷的本实用新型。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种LED发光装置，其能使LED发光装置具有较佳的光效。

本实用新型提供一种LED发光装置，该LED发光装置包括：一基板，所述基板具有位于相反侧的一正面与一背面；一电路层，所述电路层设置于所述基板的正面，所述电路层包含有一LED线路与一电子元件线路，且所述LED线路与所述电子元件线路彼此电性连接；一阻隔墙，所述阻隔墙设置于所述基板的正面且包含有一第一围绕墙及与所述第一围绕墙相连的两个第二围绕墙，所述第二围绕墙位于所述第一围绕墙的相反两侧，并且所述LED线路显露于所述第一围绕墙所包围的区域，而所述电子元件线路位于所述第一围绕墙之外且显露于所述第二围绕墙与所述第一围绕墙所共同包围的区域；多个LED裸晶，所述LED裸晶装设于所述LED线路上，以电性连接于所述电路层；多个LED裸晶，所述LED裸晶装设于所述LED线路上，以电性连接于所述电路层；一透光封装体，所述透光封装体设置于所述第一围绕墙与所述基板所共同包围的区域内且在所述透光封装体内包覆有所述LED裸晶；一反光封装体，所述反光封装体设置于所述第一围绕墙、所述第二围绕墙与所述基板所共同包围的区域内，且所述反光封装体覆盖远离所述基板的所述阻隔墙的端面，而所述LED驱动元件埋置于所述反光封装体内，并且所述反光封装体具有一远离所述基板的反射面，所述反射面相对于波长为400nm至500nm的光线具有大于85%的反射率；以及两个电极，所述电极设置于所述基板上且电性连接于所述电路层，所述电极用以电性连接于一交流电源，使所述交流电源所提供的交流电力经由所述电路层与所述LED驱动元件的传输与转换，而能使所述LED裸晶发光。

进一步地，所述LED发光装置进一步具有电性连接于所述LED线路的两个LED测试垫，且所述LED测试垫用以供一检测电流流经所述LED线路，以单独地检测所述LED线路上的LED裸晶。

进一步地，所述电路层、所述LED测试垫及所述电极均位于所述基板的正面，所述电路层的LED线路与所述LED测试垫为一体延伸的构造。

进一步地，所述LED发光装置进一步包括有两个辅助测试垫，所述辅助测试垫位于所述基板的背面且分别电性连接于所述LED测试垫。

进一步地，所述LED发光装置进一步包括有两个连接垫与两个辅助电极，所述连接垫位于所述基板的正面，所述辅助电极位于所述基板的背面且分别电性连接于所述连接垫，所述连接垫分别与所述电极呈间隔地设置，并且所述电极能经由与所述连接垫的电性连接而分别与所述辅助电极电性连接。

进一步地，所述第一围绕墙定义有一垂直于所述正面的中轴线，且所述第一围绕墙与所述第二围绕墙为相对于所述中轴线对称的构造。

进一步地，所述基板呈方形，所述第二围绕墙分别设置于所述基板的两个相对的角落部位，并且所述电极设置于所述基板的另外两个相对的角落部位。

进一步地，所述反光封装体为不导电胶体。

进一步地，所述反射面相对于波长为400nm至500nm的光线所具有的反射率进一步限定为90%以上。

进一步地，所述LED驱动元件进一步限定为裸晶形式。

综上所述，本实用新型所提供的LED发光装置，其在能够以交流电力直接驱动发光的前提下，通过在所述电子元件与LED裸晶之间形成有阻隔墙，藉以隔离LED裸晶与电子元件，进而降低两者之间的热干扰与电磁干扰。再者，通过反光封装体覆盖远离基板的阻隔墙端面，并形成相对于波长400nm至500nm的光线具有大于85%反射率的反射面，进而有效地提升LED发光装置的整体光效。

为能更进一步了解本实用新型的特征及技术内容，请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图，然而所附图式仅提供参考与说明用，并非用来对本实用新型的权利要求范围作任何的限制。

附图说明

图1为本实用新型LED发光装置的立体示意图。

图2A为图1的分解示意图。