[实用新型]一种消除直流失调电压的运算放大器电路

权利要求书

1.一种消除直流失调电压的运算放大器电路，其特征在于，包括第一跨导增益单元（1）、第二跨导增益单元（2）、阻抗单元（3），所述第一跨导增益单元（1）和所述第二跨导增益单元（2）均分别与所述阻抗单元（3）电连接；

所述第一跨导增益单元（1）包括4个P型MOS管，分别为P型MOS管（MP1）、P型MOS管（MP2）、P型MOS管（MP3）和P型MOS管（MP4），所述P型MOS管（MP1）的漏极接所述P型MOS管（MP2）的源极，所述P型MOS管（MP1）的栅极接偏置电压（Vpb1），所述P型MOS管（MP2）的栅极接偏置电压（Vpb2），所述P型MOS管（MP3）的源级、所述P型MOS管（MP4）的源级和所述P型MOS管（MP2）的漏级相连，所述P型MOS管（MP3）的栅极和所述P型MOS管（MP4）的栅极分别接放大器电路的差分输入端（Vin）和（Vip）；

所述第二跨导增益单元（2）包括3个N型MOS管，分别为N型MOS管（MN1）、N型MOS管（MN2）和N型MOS管（MN3），所述N型MOS管（MN1）的源极、所述N型MOS管（MN2）的源极和所述N型MOS管（MN3）的漏级接在一起，所述N型MOS管（MN3）的栅极接偏置电压（Vnb1）；

所述阻抗单元（3）包含4个P型MOS管，分别为P型MOS管（MP5）、P型MOS管（MP6）、P型MOS管（MP7）和P型MOS管（MP8），所述阻抗单元还包括4个N型MOS管，分别为N型MOS管（MN4）、N型MOS管（MN5）、N型MOS管（MN6）和N型MOS管（MN7），所述P型MOS管（MP5）的漏级接所述P型MOS管（MP6）的源极，所述P型MOS管（MP7）的漏级接所述P型MOS管（MP7）的源极，所述P型MOS管（MP5）的栅极、所述P型MOS管（MP7）的栅极与所述偏置电压（Vpb1）连接，所述P型MOS管（MP6）的栅极、所述P型MOS管（MP8）的栅极与偏置电压（Vpb2）连接，所述P型MOS管（MP6）的漏级、所述N型MOS管（MN4）的栅极、所述N型MOS管（MN4）的漏级以及所述N型MOS管（MN5）的栅极接在一起，所述N型MOS管（MN4）的源极、所述N型MOS管（MN6）的栅极、所述N型MOS管（MN6）的漏级以及所述N型MOS管（MN7）的栅极接在一起，所述N型MOS管（MN5）的源极和所述N型MOS管（MN7）的漏级接在一起。

2.如权利要求1所述的一种消除直流失调电压的运算放大器电路，其特征在于，所述第一跨导增益单元（1）中所述P型MOS管（MP3）的漏极与所述N型MOS管（MN4）的源极、N型MOS管（MN6）的栅极、N型MOS管（MN6）的漏级相连，P型MOS管（MP4）的漏极与N型MOS管（MN5）的源极和N型MOS管（MN7）的漏级相连。

3.如权利要求1所述的一种消除直流失调电压的运算放大器电路，其特征在于，所述第二跨阻增益单元（2）中所述N型MOS管（MN1）的漏极与所述阻抗单元（3）中所述P型MOS管（MP5）的漏极和所述P型MOS管（MP6）的源极相连，所述N型MOS管（MN2）的漏极与所述P型MOS管（MP7）的漏极和所述P型MOS管（MP8）的源极相连。

4.如权利要求1所述的一种消除直流失调电压的运算放大器电路，其特征在于，所述运算放大器电路还包括开关，所述为时钟控制开关，数量为4个，分别为开关（S1）、开关（S2）、开关（S3）和开关（S4），所述开关（S1）、所述开关（S3）和所述开关（S4）是同向时钟控制开关，所述开关（S2）是与S1、S3、S4反向且不交叠的时钟控制开关。

5.如权利要求4所述的一种消除直流失调电压的运算放大器电路，其特征在于，所述运算放大器电路还包括电容，所述电容的数量为3个，分别为电容（C1）、电容（C2）和电容（C3），电容（C3）的电容量大于所述电容（C1）和所述电容（C2）的电容量。

6.如权利要求5所述的一种消除直流失调电压的运算放大器电路，其特征在于，所述开关（S1）的两端分别与所述第一跨阻增益单元（1）中的所述P型MOS管（MP4）的栅极和所述P型MOS管（MP3）的栅极相连，所述开关（S2）的两端分别与所述P型MOS管（MP8）的漏极和输出端(Vout)相连，所述开关（S3）的两端分别与所述P型MOS管（MP8）的漏极和所述电容（C1）的正极相连，所述开关（S4）分别与所述输出端（Vout）和所述电容（C2）的正极相连，所述电容（C3）的正极与所述输出端（Vout）相连，和地（GND）相连。