[实用新型]一种用于光伏组件的高效互联带有效
申请号: | 201420168252.0 | 申请日: | 2014-04-08 |
公开(公告)号: | CN203746878U | 公开(公告)日: | 2014-07-30 |
发明(设计)人: | 励征 | 申请(专利权)人: | 蒙特集团(香港)有限公司 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05;H01L31/18 |
代理公司: | 常州市英诺创信专利代理事务所(普通合伙) 32258 | 代理人: | 王美华 |
地址: | 中国香港告士打道*** | 国省代码: | 中国香港;81 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 组件 高效 互联带 | ||
1.一种用于光伏组件的高效互联带,包括由金属单质或合金材料构成的导电基带(1),其特征在于:
(a)所述导电基带(1)的包络轮廓为扁平线材,其两个宽表面中的至少一个为异构宽表面,所述异构宽表面上分布有多个凹陷,相邻凹陷之间存在有耦联平台(3);
(b)所述耦联平台(3)为表面轮廓算术平均偏差Ra在0.25μm-5μm之间的粗糙平面。
2.如权利要求1所述的高效互联带,其特征在于:所述凹陷的深度大于10μm。
3.如权利要求1所述的高效互联带,其特征在于:同一异构宽表面上的耦联平台(3)的面积总和为所在的异构宽表面总面积的15%-85%,所述耦联平台的面积为宏观形状轮廓面积,所述异构宽表面的面积为包络宏观形状轮廓面积。
4.如权利要求1所述的高效互联带,其特征在于:所述耦联平台(3)的表面轮廓算术平均偏差Ra在1.5μm-3.5μm之间。
5.如权利要求1所述的高效互联带,其特征在于:所述耦联平台(3)的表面粗糙度大于凹陷的表面粗糙度。
6.如权利要求1-5中任一项所述的高效互联带,其特征在于:取所述凹陷表面宏观形状轮廓上的任意两点,其中位置较深的点的切面夹角小于或等于位置较浅的点的切面夹角,所述切面为在该点处与凹陷的宏观形状轮廓相切的平面,所述切面夹角为与所述凹陷处于同一异构宽表面的耦联平台(3)的宏观形状轮廓与所述凹陷的切面之间的夹角。
7.如权利要求6所述的高效互联带,其特征在于:所述凹陷的表面宏观形状轮廓上任一点的切面夹角在20.9°-45°之间。
8.如权利要求7所述的高效互联带,其特征在于:所述凹陷的表面宏观形状轮廓上任一点的切面夹角在30°-45°之间。
9.如权利要求6所述的高效互联带,其特征在于:所述凹陷为在异构宽表面上连续或不连续分布的凹槽(2)。
10.如权利要求9所述的高效互联带,其特征在于:所述凹槽(2)在所述异构宽表面沿互联带长度方向呈规律性重复。
11.如权利要求9所述的高效互联带,其特征在于:所述凹槽(2)为与互联带的长度方向存在夹角的直线型条状凹槽,所述夹角为5°-85°。
12.如权利要求11所述的高效互联带,其特征在于:所述凹槽(2)与互联带的长度方向的夹角在26°-64°之间。
13.如权利要求11所述的高效互联带,其特征在于:所述凹槽(2)在同一宽表面平行分布。
14.如权利要求11所述的高效互联带,其特征在于:所述凹槽(2)在同一宽表面交叉分布。
15.如权利要求14所述的高效互联带,其特征在于:所述凹槽(2)相对于互联带在长度方向上的中心线互为镜像。
16.如权利要求6所述的高效互联带,其特征在于:所述凹陷还包括曲线型条状凹槽、点状凹槽、面状凹槽,以及沿互联带长度方向的单侧或双侧压制斜面所形成的斜面凹槽中的一种或多种。
17.如权利要求1所述的高效互联带,其特征在于:所述凹陷的表面的全部或部分覆盖有反光层(4)。
18.如权利要求17所述的高效互联带,其特征在于:所述耦联平台(3)的全部或部分覆盖有反光层(4)。
19.如权利要求17或18所述的高效互联带,其特征在于:所述反光层(4)为金属反光层。
20.如权利要求17或18所述的高效互联带,其特征在于:所述反光层(4)为锡基焊料层。
21.如权利要求17或18所述的高效互联带,其特征在于:所述反光层(4)为透明或反光的导电薄膜和/或导电胶体。
22.如权利要求17或18所述的高效互联带,其特征在于:所述反光层(4)与导电基带(1)之间存在一层或多层金属和/或合金过渡层。
23.如权利要求17所述的高效互联带,其特征在于:所述反光层(4)的表面轮廓算术平均偏差在0.05μm-5μm之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的