[实用新型]图形化衬底以及倒装LED芯片

权利要求书

1.一种图形化衬底，包括：衬底、形成于所述衬底表面的若干凹坑以及填充于所述凹坑内的绝缘介质膜，所述衬底以及所述绝缘介质膜均采用透光材料，所述绝缘介质膜的折射率大于所述衬底的折射率并小于一外延层的折射率。

2.如权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述衬底为蓝宝石、碳化硅、氧化锌或尖晶石。

3.如权利要求1所述的图形化衬底，其特征在于，所述绝缘介质膜为氮化硅或氧化钛。

4.一种倒装LED芯片，包括：具有第一面和第二面的衬底、形成于所述衬底表面的若干凹坑、填充于所述凹坑内的绝缘介质膜、以及形成于所述衬底的第一面以及所述绝缘介质膜上的外延层，其中，所述第二面作为倒装LED芯片的出光面，所述衬底以及所述绝缘介质膜均采用透光材料，所述绝缘介质膜的折射率大于所述衬底的折射率并小于所述外延层的折射率。

5.如权利要求4所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述衬底为蓝宝石、碳化硅、氧化锌或尖晶石。

6.如权利要求4所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述绝缘介质膜为氮化硅或氧化钛。

7.如权利要求4所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述外延层包括依次形成于所述衬底的第一面上的N型氮化镓层、多量子阱有源层和P型氮化镓层。