[实用新型]LTE基站电路

说明书

技术领域

本实用新型属于4G领域，尤其涉及一种LTE基站电路。

背景技术

LTE（Long Term Evolution，长期演进)是由3GPP（The3rd Generation Partnership Project，第三代合作伙伴计划）组织制定的UMTS（Universal Mobile Telecommunications System，通用移动通信系统）技术标准的长期演进，于2004年12月在3GPP多伦多TSG RAN#26会议上正式立项并启动。LTE系统引入了OFDM（Orthogonal Frequency Division Multiplexing，正交频分复用）和MIMO（Multi-input Multi-output，多输入多输出）等关键传输技术，显著增加了频谱效率和数据传输速率（20M带宽2X2MIMO在64QAM情况下，理论下行最大传输速率为201Mbps，除去信令开销后大概为140Mbps，但根据实际组网以及终端能力限制，一般认为下行峰值速率为100Mbps，上行为50Mbps），并支持多种带宽分配：1.4MHz，3MHz，5MHz，10MHz，15MHz和20MHz等，且支持全球主流2G/3G频段和一些新增频段，因而频谱分配更加灵活，系统容量和覆盖也显著提升。LTE系统网络架构更加扁平化简单化，减少了网络节点和系统复杂度，从而减小了系统时延，也降低了网络部署和维护成本。LTE系统支持与其他3GPP系统互操作。LTE系统有两种制式：FDD-LTE和TDD-LTE，即频分双工LTE系统和时分双工LTE系统，二者技术的主要区别在于空中接口的物理层上（像帧结构、时分设计、同步等）。FDD-LTE系统空口上下行传输采用一对对称的频段接收和发送数据，而TDD-LTE系统上下行则使用相同的频段在不同的时隙上传输，相对于FDD双工方式，TDD有着较高的频谱利用率。

现有的LTE基站的电路存在很多的器件，器件之间均通过印刷电路板连接，但是现有的印刷电路板的结构使得器件之间容易出现连锡现象、锡膏不均匀和焊接短路现象。

实用新型内容

本实用新型实施例的目的在于提供一种LTE基站电路，其解决现有技术的LTE基站电路容易出现连锡现象和焊接短路的问题。

本实用新型实施例是这样实现的，一方面，提供一种LTE基站电路，所述电路包括：LTE通信模块和LTE印刷电路板；其中，所述LTE印刷电路板包括：基板和多个焊接点，其中，多个焊接点中每二个焊接点之间均设置有锡槽；所述锡槽的底部设置有绝缘层。

可选的，所述焊接点包括：孔和U形铜箔盘，其中所述U形铜箔盘的U型开口方向朝向所述锡槽。

在本实用新型实施例中，本实用新型提供的技术方案在LTE基站电路，该基站电路包括新型的印刷电路板，将电路板的铜箔层设置成U型，这样能够有利均匀分布锡膏，不易出现连锡现象。

附图说明

图1是本实用新型提供的一种LTE基站电路的结构图;

图2是本实用新型提供的LTE基站电路的焊接点示意图；

图3是本实用新型提供的LTE基站电路的铜箔层结构图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

本实用新型具体实施方式提供一种LTE基站电路，该基站电路包括：LTE通信模块和LTE印刷电路板；其中，LTE印刷电路板如图1所示，包括：基板10和多个焊接点11，其中，多个焊接点11中每二个焊接点11之间均设置有锡槽12；锡槽12的底部设置有绝缘层。

本实用新型提供的技术方案在每个焊接点11中间设置锡槽，这样多余的锡会流入锡槽，这样就避免了连锡现象，并且锡槽底部还设置有绝缘层，这能避免锡槽内锡过多流入其他层的电路板，导致其他层的电路板短路，所以其具有不易出现连锡现象的优点。

可选的，上述焊接点11（如图2所示）包括：孔110和U形铜箔盘111（如图3所示），其中U形铜箔盘111的U型开口方向朝向锡槽12。

本实用新型设置U型铜箔盘111比圆形的铜箔盘更容易使得锡膏均匀分布，并且U型铜箔盘111的开口能积累一部分多余的锡，这样增加了相邻两个焊点的距离，更不容易出现连锡现象，也使得LTE基站电路更不容易出现短路。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。