[实用新型]一种晶硅太阳能电池栅线有效
申请号: | 201420176177.2 | 申请日: | 2014-04-11 |
公开(公告)号: | CN203883015U | 公开(公告)日: | 2014-10-15 |
发明(设计)人: | 张依群;朱彩莲 | 申请(专利权)人: | 东莞职业技术学院 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 周详 |
地址: | 523808 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池技术领域,尤其是指一种晶硅太阳能电池栅线。
背景技术
晶硅太阳能电池5的电池栅线一般设置在其光照面上,一直采用主栅线1(2~3根)加上与主栅垂直的细而密的副栅线2(80~200根)的电极结构,如图1所示。其中副栅线2的作用是收集在阳光照射下太阳能电池所产生的光电流,主栅线1的作用是将副栅线2所收集的光电流引导出去。
主栅线1和副栅线2都是由导电银浆经过丝网印刷和加热固化工艺形成的,是不透光的,即主栅线1和副栅线2会遮挡住入射光线,使太阳能电池的有效面积变小,减小发电量,因此,为了增大太阳能电池的有效面积,必须尽量减少主栅线1和副栅线2的数量和宽度。主栅线1的作用是要将光电流通过金属汇流条引导出去,为了减小光电流损失以及与金属汇流条有效接触,主栅线1必须要达到一定的宽度,通常必须要大于1毫米,而金属汇流条(主栅线1)必须有2~3根,才可以加固电池片,有效地将太阳能电池片串联起 来,并防止越来越薄的电池片在制造、运输、安装过程中发生破裂,也就是说,主栅线1的宽度和数量是不能低于最低限的。
另一方面,副栅线2必须达到一定的密集程度才可以最大限度地将太阳能电池所产生光电流收集起来,如果减少副栅线2的数量,虽然太阳能电池有效面积的增大会增加发电量,但是光电流收集效率的降低会减少发电量,如何才能不减少副栅线2的数量,同时又增大太阳能电池的有效面积呢?那就只有减小副栅线2的宽度了,目前大多数晶硅太阳能电池的电池栅线的副栅线2宽度在0.1㎜左右,可如果设置更小的宽度这又带来了另一个问题,副栅线2宽度变窄了,它的电阻也会增加,副栅线2的电阻过大会严重地衰减光电流,减少太阳能电池的发电量。那么,还有一种方法,就是减少副栅线2的宽度,同时增加其厚度,这样可以保持电阻不变,但是我们知道,丝网印刷工艺有其极限,对于细线来说,印刷的厚度不能太厚,否则会发生断线、变形、剥离等现象,影响印刷质量,降低光电流收集效率。如果采用重复多次丝网印刷的方法,虽然可以增加副栅线2的厚度,但是会增加工艺的复杂度,进而增加制造成本,也容易发生错位,影响印刷质量。
实用新型内容
本实用新型在于针对目前晶硅太阳能电池栅线光电流收集效率与太阳能电池有效面积之间矛盾而存在的不足,而提供解决以上问题的一种晶硅太阳能电池栅线。
为达到上述目的,本实用新型采用如下技术方案:
一种晶硅太阳能电池栅线,所述晶硅太阳能电池栅线包括主栅线、垂直于主栅线的副栅线,还包括平行主栅线设置的辅助主栅线以及平行于副栅线每间隔若干条副栅线设置的辅助副栅线;所述辅助主栅线、辅助副栅线的宽度范围为:0.3㎜<L1<0.7㎜,副栅线的宽度范围为:0.03㎜<L2<0.07㎜。
较佳的,所述L1=0.5㎜。
较佳的,所述L2=0.05㎜。
本实用新型的有益效果在于:本实用新型的一种晶硅太阳能电池栅线,所述晶硅太阳能电池栅线包括主栅线、垂直于主栅线的副栅线,还包括平行主栅线设置的辅助主栅线以及平行于副栅线每间隔若干条副栅线设置的辅助副栅线;所述辅助主栅线、辅助副栅线的宽度范围为:0.3㎜<L1<0.7㎜,副栅线的宽度范围为:0.03㎜<L2<0.07㎜;本实用新型装置采用增加了与主栅线平行的辅助主栅线以及与副栅线平行的辅助副栅线,将副栅线设置更小的宽度范围,设置的辅助主栅线将副栅线分割成了多段,使得副栅线输送光电流的距离变短,从而减小了电阻,这样就可以采用宽度更窄的副栅线,增大太阳能电池的有效面积,增加发电量;因而本实用新型一方面可以增加栅线对光电流的收集几率、提高电池片的转换效率;另一方面可以减小副栅线的线宽、增加透光率、提高发电量;同时还可以减小副栅线断线对电池片的可靠性带来的不良影响。
附图说明
图1为现有技术晶硅太阳能电池栅线的结构示意图
图2为本实用新型的晶硅太阳能电池栅线的结构示意图
具体实施方式
下面结合附图2对本实用新型作进一步阐述:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的